Pat
J-GLOBAL ID：200903017743972088

マスクブランク用透光性基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、露光用マスクの製造方法、半導体装置の製造方法及び液晶表示装置の製造方法、並びに露光用マスクの欠陥修正方法

Inventor：
田辺 勝

About 田辺 勝

, 
三井 勝

About 三井 勝


Applicant, Patent owner：
HOYA株式会社

About HOYA株式会社


Agent (1)： 大塚 武史
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005181456
Publication number (International publication number)：2006039525
Application date： Jun. 22, 2005
Publication date： Feb. 09, 2006
Summary：
【課題】透光性基板表面にある凹欠陥を修正して転写パターン欠陥やマスクパターン欠陥の発生を防止するマスクブランク用透光性基板、マスクブランク及び露光用マスクの製造方法、並びに露光用マスクの欠陥修正方法を提供する。【解決手段】透光性基板1上に転写パターンとなるマスクパターン2が形成された露光用マスクで、マスクパターン2が形成されていない基板表面1aにある転写パターン欠陥となる透過光量の低下を引き起こす凹欠陥3の周辺部分を針状部材4で除去し基板表面と凹欠陥の深さとの段差を低減するように修正を行う。また、このような凹欠陥の修正を、透光性基板上にマスクパターン形成用の薄膜を形成する前の段階で行う。凹欠陥の修正を施した透光性基板を使用してマスクブランク、露光用マスクを製造する。【選択図】図2
Claim (excerpt)：
露光用マスクの原版であるマスクブランク用透光性基板の製造方法であって、 透光性基板表面の転写パターンとなるマスクパターンが形成されるマスクパターン形成領域内に存在する、転写パターン欠陥となる透過光量の低下を引き起こす程度の深さの凹状の欠陥部を特定し、透過光量の低下を抑制して転写パターン欠陥とならないように、特定した前記欠陥部の周辺部分を除去して、前記基板表面と前記欠陥部の深さとの段差を低減することを特徴とするマスクブランク用透光性基板の製造方法。
IPC (2)：
G03F 1/14 ,  G03F 1/08
FI (2)：
G03F1/14 A ,  G03F1/08 W
F-Term (6)：
2H095BA01 ,  2H095BA02 ,  2H095BC26 ,  2H095BD31 ,  2H095BD33 ,  2H095BD40
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (19)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM