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J-GLOBAL ID：200903073114895914

半導体レーザーダイオードの分離方法

Inventor：
崔 光 基

About 崔 光 基


Applicant, Patent owner：
三星電機株式会社

About 三星電機株式会社


Agent (1)： 八田 幹雄 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002364376
Publication number (International publication number)：2003204105
Application date： Dec. 16, 2002
Publication date： Jul. 18, 2003
Summary：
【要約】【課題】 活性層に垂直であると共に表面がきれいなレーザー放出面を得ることができる半導体レーザーダイオードの分離方法を提供する。【解決手段】 基板40上にn型化合物半導体層42を形成する段階と、n型化合物半導体層42を含む複数の半導体レーザーダイオード44を、レーザー放出領域が互いに連結されるように形成する段階と、複数のレーザーダイオード及びこれらを連結するレーザー放出領域の周りにおけるn型化合物半導体層及びレーザーダイオードを形成するのに使用された物質層を除去する段階と、複数のレーザーダイオード44間の基板の底面にレーザー放出方向46を垂直に横切る基準切取り線52を形成する段階と、基準切取り線52に沿ってレーザーダイオードを分離する段階とを含む。
Claim (excerpt)：
基板上にn型化合物半導体層を形成する第1段階と、前記n型化合物半導体層上に複数の半導体レーザーダイオードをレーザー放出領域が互いに連結されるように形成する第2段階と、前記複数のレーザーダイオード、及び前記複数のレーザーダイオードを連結する前記レーザー放出領域の周りに存在する前記n型化合物半導体層及び前記複数のレーザーダイオードを形成するために使用された物質層を除去する第3段階と、前記複数のレーザーダイオード同士の間の前記基板の底面に前記レーザー放出領域からのレーザーの放出方向を垂直に横切る基準切取り線を形成する第4段階と、前記基準切取り線に沿って両側のレーザーダイオードを分離する第5段階と、を含むことを特徴とする半導体レーザーダイオードの分離方法。
IPC (3)：
H01S 5/02 ,  H01S 5/323 610 ,  H01L 21/301
FI (3)：
H01S 5/02 ,  H01S 5/323 610 ,  H01L 21/78 G
F-Term (13)：
5F073AA13 ,  5F073AA62 ,  5F073AA72 ,  5F073AA81 ,  5F073AA83 ,  5F073AA89 ,  5F073CA02 ,  5F073CA17 ,  5F073CB05 ,  5F073DA25 ,  5F073DA31 ,  5F073DA34 ,  5F073EA29
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (19)
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