ジ又はトリフェニルモノテルペン炭化水素誘導体、溶解制御剤及び化学増幅ポジ型レジスト材料

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小島隆司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996113197
Publication number (International publication number)：1997278699
Application date： Apr. 10, 1996
Publication date： Oct. 28, 1997
Summary：

【要約】 (修正有)【解決手段】下記一般式(1)で示されるジ又はトリフェニルモノテルペン炭化水素誘導体。(式中、Xは2価又は3価のモノテルペン炭化水素基を示し、R1〜R3はそれぞれ独立に水素原子、直鎖状又は分枝状のアルキル基等である。R4は水素原子又は酸不安定基であるが、R4の少なくとも1つは酸不安定基である。nは1〜5の整数、j,k,mはそれぞれ0〜4の整数で、n+j+k+m=5を満足する。pは2又は3である。)【効果】式(1)の化合物は、これを化学増幅ポジ型レジスト材料に配合することにより、たとえば遠紫外線、電子線、X線などの高エネルギー線、特にKrFエキシマレーザーに感応し、感度、解像性、プラズマエッチング耐性に優れ、しかもレジストパターンの耐熱性に優れた微細加工技術に適した高解像性を有する。

Claim (excerpt)：

下記一般式(1)で示されるジ又はトリフェニルモノテルペン炭化水素誘導体。【化1】(式中、Xは2価又は3価のモノテルペン炭化水素基を示し、R1〜R3はそれぞれ独立に水素原子、直鎖状又は分枝状のアルキル基、直鎖状又は分枝状のアルコキシ基、直鎖状又は分枝状のアルコキシアルキル基、直鎖状又は分枝状のアルケニル基、又はアリール基である。R4は水素原子又は酸不安定基であるが、R4の少なくとも1つは酸不安定基である。nは1〜5の整数、j,k,mはそれぞれ0〜4の整数で、n+j+k+m=5を満足する。pは2又は3である。)

IPC (9)：

C07C 43/205 , C07C 43/30 , C07C 69/28 , C07C 69/30 , C07F 7/08 , G03F 7/004 501 , G03F 7/004 503 , G03F 7/039 501 , H01L 21/027

FI (10)：

C07C 43/205 C , C07C 43/30 , C07C 69/28 , C07C 69/30 , C07F 7/08 R , C07F 7/08 G , G03F 7/004 501 , G03F 7/004 503 , G03F 7/039 501 , H01L 21/30 502 R

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

特開平2-214691
エポキシ化合物およびその組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-026523 Applicant：住友化学工業株式会社
低誘電率熱硬化性樹脂組成物およびそれを用いた銅張り積層板
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-097751 Applicant：住友化学工業株式会社

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