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J-GLOBAL ID：200903019628767660

半導体基板、半導体基板の製造方法、半導体装置、および半導体装置の製造方法

Inventor： 永野 元 ,  宮野 清孝 ,  水島 一郎
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (6)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003072218
Publication number (International publication number)：2004281781
Application date： Mar. 17, 2003
Publication date： Oct. 07, 2004
Summary：

【課題】SOI領域が、隣接する非SOI領域(バルク領域)に対する十分なゲッタリング能力を有し、かつ、バルク領域(素子形成可能領域)を狭めていない良質な部分SOI構造を具備する半導体基板を提供する。【解決手段】半導体基板11が具備する第1の単結晶シリコン層3の一主面を部分的に覆って、絶縁層としてのSiO2膜4が設けられている。単結晶シリコン層5のSiO2膜4で覆われていない領域およびこの領域に隣接するSiO2膜4の縁部を覆って、第2の単結晶シリコン層5が部分的に設けられている。また、SiO2膜4上には、非単結晶シリコン層としての多結晶シリコン層6が設けられている。多結晶シリコン層6は、その単結晶シリコン層5との界面がSiO2膜4の上方に位置して設けられている。【選択図】 図2

Claim (excerpt)：

第1の単結晶シリコン層と、 この第1の単結晶シリコン層の一主面を部分的に覆って設けられた絶縁層と、 前記第1の単結晶シリコン層の前記絶縁層で覆われていない領域、およびこの領域に隣接する前記絶縁層の縁部を覆って設けられた第2の単結晶シリコン層と、 前記絶縁層上に設けられた非単結晶シリコン層とを具備してなり、 前記第2の単結晶シリコン層と前記非単結晶シリコン層との界面が、前記絶縁層上に位置していることを特徴とする半導体基板。

IPC (12)：

H01L27/12 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/322 ,  H01L21/336 ,  H01L21/74 ,  H01L21/76 ,  H01L21/762 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/10 ,  H01L27/108 ,  H01L29/786

FI (14)：

H01L27/12 L ,  H01L27/12 B ,  H01L27/12 F ,  H01L21/02 B ,  H01L21/20 ,  H01L21/322 P ,  H01L21/74 ,  H01L27/10 461 ,  H01L21/76 D ,  H01L21/76 L ,  H01L21/76 E ,  H01L27/10 625A ,  H01L29/78 613B ,  H01L29/78 627D

F-Term (43)：

5F032AA03 ,  5F032AA06 ,  5F032AA09 ,  5F032AA35 ,  5F032BB04 ,  5F032CA07 ,  5F032CA14 ,  5F032CA17 ,  5F032DA71 ,  5F032DA78 ,  5F052AA11 ,  5F052AA17 ,  5F052DA01 ,  5F052DA02 ,  5F052EA11 ,  5F052EA16 ,  5F052GC03 ,  5F052HA01 ,  5F052HA08 ,  5F052JA01 ,  5F052KB09 ,  5F083AD17 ,  5F083HA02 ,  5F083NA01 ,  5F083ZA04 ,  5F083ZA12 ,  5F110AA04 ,  5F110BB03 ,  5F110BB06 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD21 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG42 ,  5F110GG60 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ15 ,  5F110QQ17 ,  5F110QQ19 ,  5F110QQ24 ,  5F110QQ28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

• 誘電体分離基板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-021484   Applicant：株式会社日立製作所
• 半導体記憶装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-233270   Applicant：三洋電機株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-160221   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• 半導体基板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-244415   Applicant：三星電子株式会社
• シリコンオンインシュレータを用いたDRAMおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-336876   Applicant：三星電子株式会社
• 特開昭63-192223
  
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-083557   Applicant：三洋電機株式会社
• 半導体部材の製造方法およびそれを用いた半導体部材、半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-137214   Applicant：キヤノン株式会社
• 半導体基板及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-018515   Applicant：シャープ株式会社
• SOI基板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-359126   Applicant：ソニー株式会社