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J-GLOBAL ID：200903022026142058

単結晶サファイア基板とその製造方法

Inventor： 竹澤 修平
Applicant, Patent owner： 京セラ株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002086693
Publication number (International publication number)：2003282551
Application date： Mar. 26, 2002
Publication date： Oct. 03, 2003
Summary：

【要約】【課題】化学研磨で、単結晶サファイア基板を研磨しても表面粗さは平坦化されているものの、凹凸分布に規則性が見られないため、窒化物半導体をエピタキシャル成長させるのに適していない。【解決手段】サファイア基板の主面上にストライプ状の溝を有し、該溝の側面と主面のなす角度を60°以上90°未満とする。

Claim (excerpt)：

主面上にストライプ状の溝を有し、該溝の側面と主面のなす角度が60°以上90°未満であることを特徴とする単結晶サファイア基板。

IPC (3)：

H01L 21/308 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323 610

FI (3)：

H01L 21/308 E ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/323 610

F-Term (11)：

5F041AA40 ,  5F041CA40 ,  5F041CA74 ,  5F041CA75 ,  5F043AA37 ,  5F043BB25 ,  5F043CC02 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073DA23 ,  5F073EA29

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

• エピタキシャル成長用基板およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-344808   Applicant：日本碍子株式会社
• 窒化物系半導体素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-074762   Applicant：三洋電機株式会社
• 窒化物半導体の製造方法及び窒化物半導体基板
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-186462   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 特開平3-233926
  
• 半導体薄膜構造とその作製法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-264706   Applicant：キヤノン株式会社
• 基板構造及びその作製法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-264699   Applicant：キヤノン株式会社
• 特開昭55-020262
  
• 特開平2-293400
  
• 半導体基材及びその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-068067   Applicant：三菱電線工業株式会社
• 窒化物半導体構造とその製法および発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-216110   Applicant：シャープ株式会社