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J-GLOBAL ID：200903022162951156

基板処理装置

Inventor：
福田 正直

About 福田 正直

, 
盛満 和広

About 盛満 和広

, 
佐々木 隆史

About 佐々木 隆史


Applicant, Patent owner：
株式会社日立国際電気

About 株式会社日立国際電気


Agent (3)： 油井 透 ,  阿仁屋 節雄 ,  清野 仁
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007195055
Publication number (International publication number)：2009032890
Application date： Jul. 26, 2007
Publication date： Feb. 12, 2009
Summary：
【課題】 基板上に形成する薄膜の厚さの均一性を向上させる。【解決手段】 複数の基板を上下方向に亘って所定のピッチで積層した状態で支持する基板支持部材を収容する処理管と、処理管内に基板を積層する方向に亘って延在され、複数のガス供給口を備えたガス供給部と、処理管に開口された排気部と、基板支持部材に支持される基板の周縁と処理管の内壁とに挟まれる空間に設けられ、ガス供給部から処理管の周方向かつ基板を積層する方向に亘って延在されたガス整流板と、最上のガス供給口及び最上の基板よりも上側の処理管内の空間と、最下のガス供給口及び最下の基板よりも下側の処理管内の空間とに設けられたガス流規制部と、を備える。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
複数の基板を上下方向に亘って所定のピッチで積層した状態で支持する基板支持部材を収容する処理管と、 前記処理管内に前記基板を積層する方向に亘って延在され、複数のガス供給口を備えたガス供給部と、 前記処理管に開口された排気部と、 前記基板支持部材に支持される基板の周縁と前記処理管の内壁とに挟まれる空間に設けられ、前記ガス供給部から前記処理管の周方向かつ前記基板を積層する方向に亘って延在されたガス整流板と、 最上のガス供給口及び最上の基板よりも上側の前記処理管内の空間と、最下のガス供給口及び最下の基板よりも下側の前記処理管内の空間とに設けられたガス流規制部と、 を備えた基板処理装置。
IPC (3)：
H01L 21/31 ,  H01L 21/22 ,  H01L 21/324
FI (3)：
H01L21/31 E ,  H01L21/22 511S ,  H01L21/324 R
F-Term (11)：
5F045AA20 ,  5F045AB32 ,  5F045BB02 ,  5F045BB03 ,  5F045DP19 ,  5F045DP28 ,  5F045DQ05 ,  5F045EE20 ,  5F045EF03 ,  5F045EF14 ,  5F045EK06
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3)
  • 基板処理装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-234841   Applicant：株式会社日立国際電気
  • 基板処理装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-205950   Applicant：株式会社日立国際電気
  • 基板処理装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-185363   Applicant：株式会社日立国際電気
Cited by examiner (8)
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