欠陥検査装置、欠陥検査方法及びホールパターンの検査方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：細江利昭
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003085185
Publication number (International publication number)：2004294194
Application date： Mar. 26, 2003
Publication date： Oct. 21, 2004
Summary：

【課題】最上層のパターンの検査を、高いS/N比で行うことができる欠陥検査装置を提供する。【解決手段】照明光L1によって照明された、基板であるウエハ2からは、回折光L2が生じレンズ41、レンズ42で構成された受光光学系4に導かれて集光され、回折光L2によるウエハ2の像を本発明の撮像手段としての撮像素子5上に結像する。画像処理装置6は、撮像素子5で取り込んだ画像の画像処理を行って、欠陥を検出する。偏光板7は、照明光L1がS偏光でウエハ2を照明するように調整されている。S偏光の方が表面反射率が高い分、下地に到達する光量が少なくなる。従って、S偏光で照明を行うことにより、表層から反射される光量を、下地で反射される光量より多くすることができ、表層の欠陥をS/N比の良い状態で検査することができる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

被検査体である基板の欠陥を検査する装置であり、前記基板を照明する照明光学系と、前記基板からの回折光を受光する受光光学系とを有する欠陥検査装置であって、前記照明光学系又は前記受光光学系のどちらか一方に偏光素子を備えたことを特徴とする欠陥検査装置。

IPC (2)：

G01N21/956 , H01L21/66

FI (2)：

G01N21/956 A , H01L21/66 J

F-Term (18)：

2G051AA51 , 2G051AB02 , 2G051BA11 , 2G051BA20 , 2G051BB07 , 2G051CA04 , 2G051CB06 , 2G051CC07 , 2G051DA07 , 4M106AA01 , 4M106BA04 , 4M106CA38 , 4M106CA39 , 4M106CA47 , 4M106DB04 , 4M106DB07 , 4M106DB14 , 4M106DB30

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (10)

欠陥検査用半導体基板、半導体基板の検査方法および半導体基板検査用モニター装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-265145 Applicant：三菱電機株式会社
半導体ウエハの自動外観検査装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-006487 Applicant：株式会社ニコン
表面欠陥検査装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-272674 Applicant：株式会社リコー

Show all

Cited by examiner (9)

パターン評価装置及びパターン評価方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-305771 Applicant：株式会社東芝
半導体ウエハの自動外観検査装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-006487 Applicant：株式会社ニコン
表面欠陥検査装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-272674 Applicant：株式会社リコー

Show all

Return to Previous Page