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J-GLOBAL ID：200903022601950307

III族窒化物半導体薄膜およびIII族窒化物半導体発光素子

Inventor：
酒井 士郎

About 酒井 士郎

, 
直井 美貴

About 直井 美貴

, 
崔洛俊

About 崔洛俊


Applicant, Patent owner：
国立大学法人徳島大学

About 国立大学法人徳島大学

, 
三星電機株式会社

About 三星電機株式会社


Agent (1)： 酒井 宏明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006077492
Publication number (International publication number)：2007254175
Application date： Mar. 20, 2006
Publication date： Oct. 04, 2007
Summary：
【課題】より高品質のIII族窒化物半導体薄膜およびそれを用いたIII族窒化物半導体発光素子を提供する。【解決手段】縞状に複数の溝が形成された(1-102)面(いわゆるr面)のサファイア基板110上に、AlInNからなるバッファ層120を、MOCVD装置を用いて常圧のもとで形成し、該バッファ層120上に、Al/In/Ga/Nからなる中間層130を、パルス原子層エピタキシー法によって形成し、その中間層130の上に(11-20)面(いわゆるa面)のGaN層を高温でエピタキシャル成長する。これによりIII族窒化物半導体薄膜を得る。また、そのIII族窒化物半導体薄膜を基板としてIII族窒化物半導体発光素子を作成する。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
表面に凹凸が形成された基板と、 前記基板上に位置し、III族窒化物からなるバッファ層と、 前記バッファ層上に位置し、(11-20)面の窒化ガリウムからなるエピタキシャル成長層と、 を含むことを特徴とするIII族窒化物半導体薄膜。
IPC (4)：
C30B 29/38 ,  C30B 25/18 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00
FI (4)：
C30B29/38 D ,  C30B25/18 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00 C
F-Term (39)：
4G077AA03 ,  4G077AB02 ,  4G077BE15 ,  4G077DB08 ,  4G077ED04 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077EF01 ,  4G077EF03 ,  4G077HA02 ,  4G077HA12 ,  4G077TB05 ,  4G077TC14 ,  4G077TC19 ,  4G077TK01 ,  4G077TK04 ,  4G077TK06 ,  5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA82 ,  5F041CA83 ,  5F041CA92 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB18 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (1)
Article cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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