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J-GLOBAL ID:200903028171488734
エレクトロウェッティングデバイス及びその製造方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (3):
大森 純一
, 折居 章
, 飯阪 泰雄
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2007031442
Publication number (International publication number):2008197296
Application date: Feb. 13, 2007
Publication date: Aug. 28, 2008
Summary:
【課題】高誘電率膜を用いることによる耐圧特性の劣化を防止して信頼性の高い絶縁構造を確保できるエレクトロウェッティングデバイスを提供する。【解決手段】本発明に係るエレクトロウェッティングデバイス10は、導電性の第1の液体11と、絶縁性の第2の液体12と、上記第1,第2の液体を収容する液室18を形成する透明基板14及び蓋体15と、透明基板14の液室18側の表面に形成された電極層16と、この電極層の表面に形成された絶縁層17とを備え、この絶縁層17は、絶縁性無機結晶材料からなる第1の絶縁膜17aと、絶縁性無機非晶質材料からなる第2の絶縁膜17bの積層構造とすることで、第1の絶縁膜17aの表面凹凸を第2の絶縁膜17bで緩和し、低電圧駆動が可能であり、耐圧強度に優れた信頼性の高い絶縁層を得ることができる。【選択図】図1
Claim (excerpt):
導電性の第1の液体と、
絶縁性の第2の液体と、
前記第1,第2の液体を収容する液室を形成する一対の基材と、
前記一対の基材のうち一方の基材の前記液室側の表面に形成された電極層と、
前記電極層の表面に形成された絶縁層と、を備えたエレクトロウェッティングデバイスであって、
前記絶縁層は、絶縁性無機結晶材料からなる第1の絶縁膜と、絶縁性無機非晶質材料からなる第2の絶縁膜の積層構造を有する
ことを特徴とするエレクトロウェッティングデバイス。
IPC (3):
G02B 1/06
, G02B 7/09
, G02B 3/14
FI (3):
G02B1/06
, G02B7/11 P
, G02B3/14
F-Term (3):
2H051FA09
, 2H051FA60
, 2H051FA72
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2)
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国際公開第99/18456号パンフレット
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光学素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-106730
Applicant:キヤノン株式会社
Cited by examiner (11)
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光学素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-106730
Applicant:キヤノン株式会社
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容量素子およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-110756
Applicant:松下電子工業株式会社
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特開昭61-198592
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透過型エレクトロルミネツセンス素子の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-273981
Applicant:トヨタ自動車株式会社
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歪センサとその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2005-003571
Applicant:松下電器産業株式会社
-
EL素子およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-348235
Applicant:株式会社デンソー
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薄膜圧電共振器
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2003-338065
Applicant:株式会社東芝
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薄膜圧電素子及び薄膜圧電素子の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2005-007850
Applicant:株式会社東芝
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光学フィルム
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2005-198506
Applicant:コニカミノルタホールディングス株式会社
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磁気記憶装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2003-386835
Applicant:株式会社東芝
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特開昭61-198592
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