スイツチ回路

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：田辺恵基
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995027309
Publication number (International publication number)：1996204530
Application date： Jan. 23, 1995
Publication date： Aug. 09, 1996
Summary：

【要約】【目的】本発明は低挿入損失とアイソレーシヨンを所望の周波数において同時に確保できるスイツチ回路を実現する。【構成】スイツチ用集積回路に内蔵されている電界効果トランジスタのドレイン-ソース間に対して並列にインダクタを外部接続し、当該インダクタと電界効果トランジスタのオフ容量とを並列共振させる。このときインダクタンスを調整することにより所望の周波数において低挿入損失と十分なアイソレーシヨンを同時に確保する。

Claim (excerpt)：

ドレイン-ソース間を信号通路とする電界効果トランジスタと、上記電界効果トランジスタのゲート端子に接続された高インピーダンス素子と、上記電界効果トランジスタのドレイン端子およびソース端子に接続される第1及び第2の入出力端子とを備えるスイツチ用集積回路と、上記スイツチ用集積回路の外部に設けられ、上記第1及び第2の入出力端子間を接続するインダクタとを具えることを特徴とするスイツチ回路。

IPC (3)：

H03K 17/687 , H03K 17/693 , H04B 1/40

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (11)

高周波スイッチ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-096057 Applicant：株式会社日立製作所
特開昭50-038474
4ポールモノリシックGaAs PINダイオードスイッチ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-071656 Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド

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