Pat
J-GLOBAL ID：200903028936958459
シリコンエピタキシャルウェーハ及びその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
石原 詔二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002016663
Publication number (International publication number)：2003218120
Application date： Jan. 25, 2002
Publication date： Jul. 31, 2003
Summary：
【要約】【課題】優れたIG能力をウェーハ全面に有するシリコンエピタキシャルウェーハ、及びその製造方法を提供する。【解決手段】優れたゲッタリング能力をウェーハ全面に有するシリコンエピタキシャルウェーハであって、エピタキシャル成長後のシリコン単結晶基板内部に検出される酸素析出物の密度が、ウェーハ面内の何れの位置においても、1×109/cm3以上であるようにした。
Claim (excerpt)：
優れたゲッタリング能力をウェーハ全面に有するシリコンエピタキシャルウェーハであって、エピタキシャル成長後のシリコン単結晶基板内部に検出される酸素析出物の密度が、ウェーハ面内の何れの位置においても、1×109/cm3以上であることを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハ。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
Show all
Return to Previous Page
