加熱処理装置の温度校正方法、現像処理装置の調整方法、及び半導体装置の製造方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (6)：鈴江武彦 , 河野哲 , 中村誠 , 蔵田昌俊 , 村松貞男 , 橋本良郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003188496
Publication number (International publication number)：2005026362
Application date： Jun. 30, 2003
Publication date： Jan. 27, 2005
Summary：

【課題】装置間の温度が異なることにより感光性樹脂膜が得た実効的な露光量が装置間で変動することを抑制する。【解決手段】複数の加熱処理装置を用意する工程と、用意された各加熱処理装置について、露光量モニタパターンが形成された基板を複数の設定温度で加熱処理を行う工程と、前記冷却処理後、或いは前記現像工程後のいずれかにおいて、露光量モニタパターンの状態を測定する工程と、複数の設定温度と測定された露光量モニタパターンの状態とから、各加熱処理装置について設定温度と実効的な露光量の関係を求める工程と、求められた関係から、各加熱処理装置について、所定の実効的な露光量が得られるように補正する工程とを含む。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板上に感光性樹脂膜を形成する工程と、前記感光性樹脂膜に転写された露光量モニタパターンの状態により前記感光性樹脂膜が得た実効的な露光量をモニタするための露光量モニタマークが配置された露光マスクを用意する工程と、露光装置を用いて、所定の設定露光量で前記露光量モニタマークを前記感光性樹脂膜に転写し、前記露光量モニタパターンを形成する工程と、複数の加熱処理装置を用意する工程と、用意された各加熱処理装置について、前記露光量モニタパターンが形成された基板を複数の設定温度で加熱処理を行う工程と、前記加熱処理された基板に対して冷却処理を行う工程と、前記冷却処理された基板上の感光性樹脂膜に対して現像処理を行う工程と、前記冷却処理後、或いは前記現像工程後のいずれかにおいて、露光量モニタパターンの状態を測定する工程と、複数の設定温度と測定された露光量モニタパターンの状態とから、各加熱処理装置について設定温度と実効的な露光量の関係を求める工程と、求められた関係から、各加熱処理装置について、所定の実効的な露光量が得られるように設定温度を補正する工程とを含むことを特徴とする加熱処理装置の温度校正方法。

IPC (2)：

H01L21/027 , G03F7/26

FI (3)：

H01L21/30 568 , G03F7/26 , H01L21/30 562

F-Term (14)：

2H096AA25 , 2H096BA01 , 2H096BA09 , 2H096DA01 , 2H096EA30 , 2H096FA01 , 2H096GA00 , 2H096JA02 , 2H096LA30 , 5F046AA17 , 5F046DA02 , 5F046DA29 , 5F046KA10 , 5F046LA18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

露光装置の制御方法及び半導体製造装置の制御方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-274702 Applicant：株式会社東芝
基板加熱装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-214375 Applicant：株式会社湯浅製作所
半導体装置の製造方法および半導体製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-250719 Applicant：ソニー株式会社

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