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J-GLOBAL ID：200903029449655447

薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに液晶表示装置およびその製造方法

Inventor： 久保田 健 ,  竹口 徹 ,  今村 卓司 ,  寺元 弘
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社 ,  株式会社アドバンスト・ディスプレイ
Agent (6)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003285973
Publication number (International publication number)：2005057042
Application date： Aug. 04, 2003
Publication date： Mar. 03, 2005
Summary：

【課題】 信頼性の高い薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに液晶表示装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 液晶表示装置は、ガラス基板1上に、容量素子8と、n型薄膜トランジスタ11と、p型薄膜トランジスタ12とを備える。各薄膜トランジスタは、ガラス基板1上に下地膜2を介して形成されチャネル領域とソース/ドレイン領域とが形成される島状の結晶化ポリシリコン膜4b,4cと、ポリシリコン膜4b,4c上に絶縁膜5を介して形成されたゲート電極6a,6bとを備える。そして、ポリシリコン膜4b,4cの底面と側面とのなす角度が15度以上80度以下であり、ポリシリコン膜4b,4cが表面上に形成されていない下地膜2の厚みを、ポリシリコン膜4b,4c直下に位置する下地膜2の厚みよりも薄くする。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

絶縁基板と、 前記絶縁基板上に下地膜を介して形成され、チャネル領域とソース/ドレイン領域とが形成される島状の結晶化シリコン膜と、 前記結晶化シリコン膜上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極とを備え、 前記結晶化シリコン膜の底面と側面とのなす角度が15度以上80度以下であり、 前記結晶化シリコン膜が表面上に形成されていない前記下地膜の厚みを、前記結晶化シリコン膜直下に位置する前記下地膜の厚みよりも薄くした、薄膜トランジスタ。

IPC (3)：

H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/336

FI (4)：

H01L29/78 618C ,  G02F1/1368 ,  H01L29/78 626C ,  H01L29/78 627G

F-Term (54)：

2H092JA25 ,  2H092JA28 ,  2H092JA34 ,  2H092JA37 ,  2H092JA41 ,  2H092JB57 ,  2H092KA03 ,  2H092KA05 ,  2H092MA13 ,  2H092MA18 ,  2H092MA23 ,  2H092MA27 ,  2H092MA30 ,  2H092NA25 ,  2H092NA27 ,  2H092NA29 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD17 ,  5F110DD21 ,  5F110EE04 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF30 ,  5F110FF35 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG22 ,  5F110GG25 ,  5F110GG29 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL12 ,  5F110HL23 ,  5F110NN01 ,  5F110NN03 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110PP03 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ05 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ25

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

• 液晶表示装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-056087   Applicant：株式会社東芝
• 薄膜トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-151308   Applicant：富士通株式会社
• 薄膜トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-344547   Applicant：株式会社東芝
• 薄膜半導体装置及びその製造方法並びに電子機器及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-013342   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• 多結晶半導体層の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-096557   Applicant：松下電器産業株式会社

Cited by examiner (5)

• 薄膜半導体装置の作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-287383   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置の作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-023190   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置及びその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-065321   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 薄膜トランジスタ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-202099   Applicant：富士通株式会社
• 薄膜半導体装置の作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-262594   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所