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J-GLOBAL ID：200903029853898795

マイクロベンチとその製造方法及びそれを用いた光半導体モジュール

Inventor：
田遠 伸好

About 田遠 伸好


Applicant, Patent owner：
住友電気工業株式会社

About 住友電気工業株式会社


Agent (1)： 小松 秀岳 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000003578
Publication number (International publication number)：2001196607
Application date： Jan. 12, 2000
Publication date： Jul. 19, 2001
Summary：
【要約】【課題】 高S/N比、高速、低コストな半導体モジュールを実現するためのマイクロベンチを製造、供給することを目的とする。【解決手段】 比抵抗が109Ω・cm以上であり、比誘電率が15以下の特性を有するセラミックスからなる基板であって、その表面に光ファイバーを搭載する溝が設けられ、該溝の突き当たり部には光半導体が搭載される半導体素子搭載部があり、該半導体素子搭載部には半導体搭載用の位置合わせマークが設けられていることを特徴とする光ファイバー搭載に用いるマイクロベンチである。前記セラミックスはAlNもしくはAlNを主成分とするものである。
Claim (excerpt)：
比抵抗が109Ω・cm以上であり、比誘電率が15以下の特性を有するセラミックスからなる基板であって、その表面に光ファイバーを搭載する溝が設けられ、該溝の突き当たり部には光半導体が搭載される半導体素子搭載部があり、該半導体素子搭載部には半導体搭載用の位置合わせマークが設けられていることを特徴とする光ファイバー搭載に用いるマイクロベンチ。
IPC (5)：
H01L 31/0232 ,  B28B 11/00 ,  C04B 35/581 ,  G02B 6/42 ,  H01S 5/022
FI (5)：
G02B 6/42 ,  H01S 5/022 ,  H01L 31/02 C ,  B28B 11/00 Z ,  C04B 35/58 104 Y
F-Term (31)：
2H037BA02 ,  2H037BA11 ,  2H037DA03 ,  2H037DA04 ,  2H037DA11 ,  2H037DA12 ,  4G001BA36 ,  4G001BB36 ,  4G001BC71 ,  4G001BD03 ,  4G001BD23 ,  4G001BD36 ,  4G055AA08 ,  4G055AC01 ,  4G055BA83 ,  5F073AA64 ,  5F073AB21 ,  5F073DA35 ,  5F073EA14 ,  5F073EA27 ,  5F073FA07 ,  5F073FA15 ,  5F073FA18 ,  5F073FA23 ,  5F088AA01 ,  5F088BA02 ,  5F088BA03 ,  5F088EA06 ,  5F088JA01 ,  5F088JA03 ,  5F088JA14
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (10)
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