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J-GLOBAL ID:200903030823765977

BaLiF3単結晶体

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2007310895
Publication number (International publication number):2009132576
Application date: Nov. 30, 2007
Publication date: Jun. 18, 2009
Summary:
【課題】真空紫外光透過用光学部材、特に液浸式露光装置のラストレンズとして有望な、200nm以下の真空紫外光(VUV)の透過性、及びレーザー光照射による損傷等が少なく、レーザー耐性に優れたBaLiF3単結晶体を提供する。【解決手段】Mg及びKを含有するBaLiF3単結晶体であって、これらの含有比率がモル基準でMg/(Li+Mg)が0.001〜0.02の範囲にあり、K/(Ba+K)が0.001〜0.02の範囲にある。【選択図】図3
Claim (excerpt):
Mg及びKを含有するBaLiF3単結晶体であって、これらの含有比率がモル基準でMg/(Li+Mg)が0.001〜0.02の範囲にあり、K/(Ba+K)が0.001〜0.02の範囲にあることを特徴とするBaLiF3単結晶体。
IPC (5):
C30B 29/12 ,  C30B 15/04 ,  C30B 33/02 ,  C01F 11/22 ,  G02B 1/02
FI (5):
C30B29/12 ,  C30B15/04 ,  C30B33/02 ,  C01F11/22 ,  G02B1/02
F-Term (23):
4G076AA05 ,  4G076AA18 ,  4G076AB04 ,  4G076BA13 ,  4G076BA17 ,  4G076BC02 ,  4G076BC08 ,  4G076CA23 ,  4G076CA34 ,  4G076CA40 ,  4G076DA11 ,  4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077BE02 ,  4G077CF10 ,  4G077EB01 ,  4G077EC08 ,  4G077EC10 ,  4G077FE20 ,  4G077HA01 ,  4G077PB01 ,  4G077PB05 ,  4G077PB14
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (3) Cited by examiner (8)
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