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J-GLOBAL ID:200903030823765977
BaLiF3単結晶体
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2007310895
Publication number (International publication number):2009132576
Application date: Nov. 30, 2007
Publication date: Jun. 18, 2009
Summary:
【課題】真空紫外光透過用光学部材、特に液浸式露光装置のラストレンズとして有望な、200nm以下の真空紫外光(VUV)の透過性、及びレーザー光照射による損傷等が少なく、レーザー耐性に優れたBaLiF3単結晶体を提供する。【解決手段】Mg及びKを含有するBaLiF3単結晶体であって、これらの含有比率がモル基準でMg/(Li+Mg)が0.001〜0.02の範囲にあり、K/(Ba+K)が0.001〜0.02の範囲にある。【選択図】図3
Claim (excerpt):
Mg及びKを含有するBaLiF3単結晶体であって、これらの含有比率がモル基準でMg/(Li+Mg)が0.001〜0.02の範囲にあり、K/(Ba+K)が0.001〜0.02の範囲にあることを特徴とするBaLiF3単結晶体。
IPC (5):
C30B 29/12
, C30B 15/04
, C30B 33/02
, C01F 11/22
, G02B 1/02
FI (5):
C30B29/12
, C30B15/04
, C30B33/02
, C01F11/22
, G02B1/02
F-Term (23):
4G076AA05
, 4G076AA18
, 4G076AB04
, 4G076BA13
, 4G076BA17
, 4G076BC02
, 4G076BC08
, 4G076CA23
, 4G076CA34
, 4G076CA40
, 4G076DA11
, 4G077AA02
, 4G077AB01
, 4G077BE02
, 4G077CF10
, 4G077EB01
, 4G077EC08
, 4G077EC10
, 4G077FE20
, 4G077HA01
, 4G077PB01
, 4G077PB05
, 4G077PB14
Patent cited by the Patent:
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