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J-GLOBAL ID:200903031566527713

有機ELデバイスおよびこの製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 山川 政樹
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001038808
Publication number (International publication number):2002246173
Application date: Feb. 15, 2001
Publication date: Aug. 30, 2002
Summary:
【要約】【課題】 製造コストをあまり増加させることなく、ショート欠陥の発生を抑制できるようにする。【解決手段】 ITOがエッチングされると同時にアモルファスカーボンを堆積し、ITO膜がエッチングされた部分、すなわち形成される下部電極101aの間に、アモルファスカーボンの膜103を形成する。
Claim (excerpt):
絶縁性の基板上に形成されたストライプ状の複数の下部電極と、この下部電極間を充填するように前記基板上に形成されたアモルファスカーボンからなる複数の充填パターンと、前記下部電極および充填パターンからなる層の上に形成された発光層と、この発光層上に形成されて前記下部電極とは異なる方向に延在するストライプ状の複数の上部電極とを備えたことを特徴とする有機ELデバイス。
IPC (4):
H05B 33/10 ,  H01L 21/3065 ,  H05B 33/14 ,  H05B 33/22
FI (6):
H05B 33/10 ,  H05B 33/14 A ,  H05B 33/22 D ,  H05B 33/22 B ,  H05B 33/22 Z ,  H01L 21/302 J
F-Term (17):
3K007AB18 ,  3K007BA06 ,  3K007CA01 ,  3K007CB01 ,  3K007DA01 ,  3K007DB03 ,  3K007EB00 ,  3K007FA01 ,  5F004AA16 ,  5F004BA04 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA23 ,  5F004DA24 ,  5F004DB31 ,  5F004EA13 ,  5F004EB02
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (14)
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