半導体装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山本浩
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006189917
Publication number (International publication number)：2008021689
Application date： Jul. 11, 2006
Publication date： Jan. 31, 2008
Summary：

【課題】ドリフト領域が主に窒化ガリウム層で構成された縦型のパワー半導体装置において、電界集中を緩和して高耐圧とすることができる新たな耐圧構造を有する半導体装置を提供すること。【解決手段】高濃度シリコン基板の上に窒化ガリウムの半導体層を積層し、窒化ガリウム半導体層側の表面には、窒化ガリウム層の80%以上の深さにエッチングしたメサ溝によって囲まれる主電流の流れる活性領域をそなえる構成の半導体装置とする。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

シリコン基板上に、該基板と同導電型の窒化ガリウム化合物半導体を主成分とする半導体層を有し、主電流が流れる活性領域の周囲が、前記窒化ガリウム化合物半導体を主成分とする半導体層の表面から垂直方向に形成されるメサ溝により包囲される構成の耐圧構造を備える半導体装置において、前記メサ溝の深さが前記窒化ガリウム化合物半導体層の全膜厚の80%以上であることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 29/47 , H01L 29/872

FI (2)：

H01L29/48 E , H01L29/48 D

F-Term (9)：

4M104AA04 , 4M104BB02 , 4M104BB05 , 4M104BB07 , 4M104BB09 , 4M104BB14 , 4M104FF31 , 4M104GG03 , 4M104HH18

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (8)

半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-125913 Applicant：松下電器産業株式会社
絶縁ゲート型バイポーラトランジスタとその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-162479 Applicant：古河電気工業株式会社
ショットキーバリアダイオード
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-172604 Applicant：東芝セラミックス株式会社

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Cited by examiner (2)

ショットキーバリアダイオード及びそれを用いた集積回路
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-338015 Applicant：松下電器産業株式会社
ショットキーダイオード及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-017811 Applicant：日本電装株式会社

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