半導体装置

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (10)：前田弘 , 小山廣毅 , 竹内宏 , 嶋田高久 , 竹内祐二 , 今江克実 , 藤田篤史 , 二宮克也 , 原田智雄 , 井関勝守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004125913
Publication number (International publication number)：2004363563
Application date： Apr. 21, 2004
Publication date： Dec. 24, 2004
Summary：

【課題】 III-V族窒化物半導体からなりバイアホール構造を有する半導体装置において、基板と半導体層との間に生じる漏れ電流を防止すると共にバイアホールの形成を容易にして高周波特性、高出力特性及び大電力特性を得られるようにする。【解決手段】半導体装置は、導電性基板11の上に形成された高抵抗のAlxGa1-xNからなるバッファ層12と、該バッファ層12の上に形成され、チャネル層を有するアンドープのGaN及びN型のAlyGa1-yNからなる素子形成層14と、素子形成層14の上に選択的に形成されたソース電極16、ドレイン電極17及びゲート電極15とを備えている。ソース電極16は、バッファ層12及び素子形成層14に設けられた貫通孔12aに充填されることにより導電性基板11と電気的に接続されている。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

導電性基板と、前記導電性基板の上に形成され、高抵抗の第1のIII-V族窒化物半導体からなる第1の半導体層と、前記第1の半導体層の上に形成され、チャネル層を有する第2のIII-V族窒化物半導体からなる第2の半導体層と、前記第2の半導体層の上に選択的に形成されたソース電極、ドレイン電極及びゲート電極とを備え、前記ソース電極は、前記第1の半導体層及び第2の半導体層に設けられた貫通孔に充填されることにより、前記導電性基板と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (5)：

H01L21/338 , H01L21/3205 , H01L29/417 , H01L29/778 , H01L29/812

FI (4)：

H01L29/80 H , H01L29/80 F , H01L29/50 J , H01L21/88 J

F-Term (64)：

4M104AA01 , 4M104AA03 , 4M104AA04 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB07 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB18 , 4M104BB25 , 4M104BB30 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104CC03 , 4M104FF02 , 4M104FF13 , 4M104FF31 , 4M104GG12 , 4M104HH16 , 5F033GG01 , 5F033GG02 , 5F033HH06 , 5F033HH07 , 5F033HH11 , 5F033HH13 , 5F033HH14 , 5F033HH19 , 5F033HH20 , 5F033JJ06 , 5F033JJ07 , 5F033JJ11 , 5F033JJ13 , 5F033JJ14 , 5F033JJ19 , 5F033JJ20 , 5F033KK08 , 5F033KK18 , 5F033KK27 , 5F033KK33 , 5F033MM30 , 5F033VV04 , 5F033VV05 , 5F033XX08 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ02 , 5F102GJ03 , 5F102GK02 , 5F102GK04 , 5F102GK08 , 5F102GL04 , 5F102GL07 , 5F102GM04 , 5F102GM08 , 5F102GQ01 , 5F102GR13 , 5F102GT03 , 5F102HC01 , 5F102HC15

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

深い基板接触を有する半導体素子
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2000-599078 Applicant：テレフオンアクチーボラゲツトエルエムエリクソン(パブル)
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-147492 Applicant：ソニー株式会社
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-174972 Applicant：日本電気株式会社

Cited by examiner (12)

半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-267299 Applicant：日本碍子株式会社
電界効果トランジスタおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-117994 Applicant：沖電気工業株式会社
特開平1-140643

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