イオン伝導体用シリカゲル及びイオン伝導体、並びに燃料電池及びリチウムイオン二次電池

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：真田有
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002160636
Publication number (International publication number)：2004002114
Application date： May. 31, 2002
Publication date： Jan. 08, 2004
Summary：

【課題】細孔径等の物性を精密に制御でき、これらの物性を生かしたイオン伝導体の設計が可能であるとともに、細孔容積が大きく、充分な量のイオン伝導性化合物を含有させることが可能な、イオン伝導体の担体として好適に使用できるシリカゲルを提供する。【解決手段】(a)細孔容積が0.3ml/g以上3.0ml/g以下であり、(b)比表面積が200m2/g以上1000m2/g以下であり、(c)細孔の最頻直径(Dmax)が20nm未満であり、(d)非晶質であり、且つ、(e)固体Si-NMRでのQ4ピークのケミカルシフトをδ(ppm)とした場合に、δが下記式(I)-0.0705×(Dmax)-110.36>δ ・・・式(I)を満足するようにする。

Claim (excerpt)：

イオン伝導体に用いられるシリカゲルであって、 (a)細孔容積が0.3ml/g以上3.0ml/g以下であり、 (b)比表面積が200m2/g以上1000m2/g以下であり、 (c)細孔の最頻直径(Dmax)が20nm未満であり、 (d)非晶質であり、且つ、 (e)固体Si-NMRでのQ4ピークのケミカルシフトをδ(ppm)とした場合に、δが下記式(I) -0.0705×(Dmax)-110.36>δ ・・・式(I) を満足することを特徴とする、イオン伝導体用シリカゲル。

IPC (4)：

C01B33/152 , H01B1/06 , H01M8/02 , H01M10/40

FI (4)：

C01B33/152 B , H01B1/06 A , H01M8/02 M , H01M10/40 B

F-Term (34)：

4G072AA28 , 4G072BB13 , 4G072BB15 , 4G072CC10 , 4G072EE01 , 4G072GG01 , 4G072HH30 , 4G072MM01 , 4G072RR05 , 4G072TT08 , 4G072TT09 , 4G072TT19 , 4G072TT30 , 4G072UU17 , 4G072UU30 , 5G301CA30 , 5G301CD01 , 5H026AA06 , 5H026EE12 , 5H026HH02 , 5H026HH04 , 5H026HH05 , 5H029AJ05 , 5H029AJ14 , 5H029AM00 , 5H029AM16 , 5H029DJ04 , 5H029DJ13 , 5H029DJ16 , 5H029DJ18 , 5H029EJ05 , 5H029HJ01 , 5H029HJ06 , 5H029HJ07

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (11)

シリカゲルの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-198224 Applicant：三菱化学株式会社
特開平4-193708
高純度シリカガラスの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-137215 Applicant：信越化学工業株式会社

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

A novel proton-conducting membrane

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