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J-GLOBAL ID:200903032470850978
非平面上単粒子膜の製造方法、該単粒子膜エッチングマスクを用いた微細構造体の製造方法および該製造方法で得られた微細構造体。
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2007202500
Publication number (International publication number):2009034630
Application date: Aug. 03, 2007
Publication date: Feb. 19, 2009
Summary:
【課題】 本発明は、単粒子膜を構成する各粒子が2次元に最密充填し、高精度に配列した曲面上の単粒子膜エッチングマスクとその製造方法、該単粒子膜エッチングマスクを用いた曲面上の微細構造体の製造方法および該製造方法で得られた高精度な曲面上の微細構造体を提供する。【解決手段】 溶剤中に粒子が分散した分散液を水槽内の液面に滴下する滴下工程と、前記溶剤を揮発させることにより前記粒子からなる単粒子膜を形成する単粒子膜形成工程と、前記単粒子膜を曲面や段差など非平面である部分で面方向のピッチまたは大きさが0.1μm〜10000μmである表面が一部若しくは全部である基板上に移し取る移行工程とを有することを特徴とする非平面上単粒子膜の製造方法である。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
溶剤中に粒子が分散した分散液を水槽内の液面に滴下する滴下工程と、前記溶剤を揮発させることにより前記粒子からなる単粒子膜を形成する単粒子膜形成工程と、前記単粒子膜を曲面や段差など非平面である部分で面方向のピッチまたは大きさが0.1μm〜10000μmである表面が一部若しくは全部である基板上に移し取る移行工程とを有することを特徴とする非平面上単粒子膜の製造方法。
IPC (6):
B01J 19/00
, G02B 1/11
, B29C 33/38
, B29C 59/02
, H01L 21/027
, B82B 3/00
FI (6):
B01J19/00 K
, G02B1/10 A
, B29C33/38
, B29C59/02 B
, H01L21/30 502D
, B82B3/00
F-Term (36):
2K009AA04
, 2K009AA12
, 2K009DD12
, 2K009EE05
, 4F202AF15
, 4F202AG05
, 4F202AH81
, 4F202AJ08
, 4F202AR12
, 4F202AR20
, 4F202CA11
, 4F202CA19
, 4F202CB01
, 4F202CD02
, 4F202CD12
, 4F209AF01
, 4F209AG05
, 4F209AJ08
, 4F209AJ09
, 4F209PA02
, 4F209PB01
, 4F209PC01
, 4F209PC05
, 4F209PC06
, 4F209PC07
, 4F209PN06
, 4F209PN09
, 4F209PQ11
, 4G075AA24
, 4G075AA27
, 4G075BB02
, 4G075BB10
, 4G075BC06
, 4G075DA02
, 4G075DA18
, 5F046AA28
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (6)
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特開昭56-26438
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表面処理方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-088524
Applicant:科学技術振興事業団, 高原浩滋
-
無反射構造を有する光学素子の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2005-008292
Applicant:松下電器産業株式会社, 国立大学法人京都大学
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Cited by examiner (7)
-
半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-255043
Applicant:触媒化成工業株式会社
-
凸凹パターンの形成方法および凸凹パターン形成用部材
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2004-094985
Applicant:株式会社東芝
-
突起状エミッタ及び電子放出素子の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-340428
Applicant:キヤノン株式会社
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