半導体発光素子、および半導体発光素子を作製する方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：長谷川芳樹 , 寺崎史朗 , 柴田昌聰 , 近藤伊知良
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005326270
Publication number (International publication number)：2007134507
Application date： Nov. 10, 2005
Publication date： May. 31, 2007
Summary：

【課題】高い電流に密度においても外部量子効率の低下が小さい半導体発光素子を提供する。【解決手段】半導体発光素子11では、窒化ガリウム系クラッド層13は、1×107cm-2以下の貫通転位密度を有する。活性領域17は、複数の井戸層19および障壁層21を含む量子井戸構造17aを有しており、また量子井戸構造17aは420nm以上490nm以下の波長範囲内のピーク波長を有する光を発生するように設けられている。井戸層19の各々は、アンドープInXGa1-XN(0<X<0.14、Xは歪み組成)領域を含む。障壁層21は、アンドープInYGa1-YN(0≦Y≦0.05、Yは歪み組成、Y<X)領域を含む。ここで、本実施の形態では、インジウム組成Xは、歪み組成で示されており、緩和組成ではない。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

1×107cm-2以下の貫通転位密度を有する第1導電型窒化ガリウム系クラッド層と、第2導電型窒化ガリウム系クラッド層と、複数の井戸層および障壁層を含む量子井戸構造を有しており前記第1導電型窒化ガリウム系クラッド層と前記第2導電型窒化ガリウム系クラッド層との間に設けられた活性領域とを備え、前記量子井戸構造は、420nm以上490nm以下の波長範囲内のピーク波長を有する光を発生するように設けられており、前記井戸層の各々は、アンドープInXGa1-XN(0<X<0.14、Xは歪み組成)領域を含み、前記障壁層は、アンドープInYGa1-YN(0≦Y≦0.05、Yは歪み組成、Y<X)領域を含む、ことを特徴とする半導体発光素子。

IPC (1)：

H01L 33/00

FI (1)：

H01L33/00 C

F-Term (4)：

5F041AA08 , 5F041AA22 , 5F041CA05 , 5F041CA40

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-079045 Applicant：日亜化学工業株式会社
窒化物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-314339 Applicant：日亜化学工業株式会社
窒化物半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-300615 Applicant：日亜化学工業株式会社

Cited by examiner (6)

単結晶の製造方法および製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-384975 Applicant：三洋電機株式会社, 鳥取三洋電機株式会社
窒化物半導体発光素子、ならびにそれを使用した発光装置およびピックアップ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-272513 Applicant：シャープ株式会社
窒化物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-282288 Applicant：日亜化学工業株式会社

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