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J-GLOBAL ID:200903034564252899
光インプリント用スタンパおよびそれを用いた発光装置の製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2005343736
Publication number (International publication number):2007150053
Application date: Nov. 29, 2005
Publication date: Jun. 14, 2007
Summary:
【課題】半導体デバイスの製造工程において、微細な形状の構造体を形成するためのパターン転写技術である光ナノプリント法に関し、基板からスタンパを剥離する工程を高精度かつ容易に行うことができるスタンパおよびこれを用いた製造方法を提供する。【解決手段】紫外線に対して透過率50%以上の透明体からなり、主面に凹部及び凸部を有する光インプリント用スタンパにおいて、前記凸部の少なくとも最表面が紫外線に対して透過率10%以下の不透明部であること。【選択図】図1
Claim (excerpt):
紫外線に対して透過率50%以上の透明体からなり、主面に凹部及び凸部を有する光インプリント用スタンパにおいて、前記凸部の少なくとも最表面が紫外線に対して透過率10%以下の不透明部であることを特徴とする光インプリント用スタンパ。
IPC (5):
H01L 33/00
, B29C 59/02
, G11B 7/26
, B29C 33/38
, H01L 21/027
FI (5):
H01L33/00 C
, B29C59/02 B
, G11B7/26 511
, B29C33/38
, H01L21/30 502D
F-Term (39):
4F202AA44
, 4F202AF01
, 4F202AH33
, 4F202AH73
, 4F202AJ06
, 4F202AJ09
, 4F202CA19
, 4F202CB01
, 4F202CB29
, 4F202CD12
, 4F202CD23
, 4F209AA36
, 4F209AA44
, 4F209AF01
, 4F209AG05
, 4F209AH33
, 4F209AH73
, 4F209AJ01
, 4F209AJ09
, 4F209PA02
, 4F209PB01
, 4F209PC01
, 4F209PC05
, 4F209PH02
, 4F209PH21
, 4F209PH27
, 4F209PN03
, 4F209PN09
, 4F209PQ11
, 5D121CA01
, 5D121CA05
, 5D121CA07
, 5F041AA03
, 5F041CA04
, 5F041CA40
, 5F041CA77
, 5F041CA88
, 5F041CA93
, 5F046AA28
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (4)
-
米国特許5,259,926号公報
-
米国特許5,772,905号公報
-
ナノプリント用スタンパ、及び微細構造転写方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2003-078460
Applicant:株式会社日立製作所
-
半導体発光素子およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2004-119223
Applicant:松下電器産業株式会社
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Cited by examiner (9)
-
薄膜パターン製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-270458
Applicant:株式会社日立製作所
-
ナノ構造体及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-110512
Applicant:キヤノン株式会社
-
単結晶サファイア基板とその製造方法及び半導体発光素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2003-369679
Applicant:京セラ株式会社
-
入れ子、金型及びこれらの製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-185880
Applicant:セイコーエプソン株式会社
-
マスクパターン形成方法及びX線マスクの製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-119716
Applicant:ホーヤ株式会社
-
特開平4-073650
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受光素子及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-154549
Applicant:株式会社ニコン
-
半導体発光素子およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2004-119223
Applicant:松下電器産業株式会社
-
反射防止膜及びその製造方法、並びに反射防止膜作製用スタンパ及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2003-392119
Applicant:財団法人神奈川科学技術アカデミー, 株式会社モリテックス
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