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J-GLOBAL ID:200903034792413746

アニール装置及びアニール方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 岡本 啓三
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003183048
Publication number (International publication number):2005019725
Application date: Jun. 26, 2003
Publication date: Jan. 20, 2005
Summary:
【課題】従来よりも単純な機構のアニール装置、及びこのアニール装置を用いたアニール方法を提供すること。【解決手段】チャンバ(処理室)1と、チャンバ1内に設けられた熱輻射体5と、熱輻射体5を加熱する黒鉛加熱ヒータ(加熱部)7と、熱輻射体5にSiCウエハWを近づけるウエハホルダ(ウエハ搬送機構)2と、を有し、前記ウエハホルダ2がSiCウエハWを熱輻射体5に近づけることにより、熱輻射体5からの輻射熱によってSiCウエハWが所定温度でアニールされることを特徴とするアニール装置による。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
処理室と、 前記処理室内に設けられた熱輻射体と、 前記熱輻射体を加熱する加熱部と、 前記熱輻射体にウエハを近づけるウエハ搬送機構と、 を有し、 前記ウエハ搬送機構が前記ウエハを前記熱輻射体に近づけることにより、前記熱輻射体からの輻射熱によって前記ウエハが所定温度でアニールされることを特徴とするアニール装置。
IPC (1):
H01L21/265
FI (1):
H01L21/265 602A
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (9)
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