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J-GLOBAL ID:200903034792413746
アニール装置及びアニール方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
岡本 啓三
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003183048
Publication number (International publication number):2005019725
Application date: Jun. 26, 2003
Publication date: Jan. 20, 2005
Summary:
【課題】従来よりも単純な機構のアニール装置、及びこのアニール装置を用いたアニール方法を提供すること。【解決手段】チャンバ(処理室)1と、チャンバ1内に設けられた熱輻射体5と、熱輻射体5を加熱する黒鉛加熱ヒータ(加熱部)7と、熱輻射体5にSiCウエハWを近づけるウエハホルダ(ウエハ搬送機構)2と、を有し、前記ウエハホルダ2がSiCウエハWを熱輻射体5に近づけることにより、熱輻射体5からの輻射熱によってSiCウエハWが所定温度でアニールされることを特徴とするアニール装置による。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
処理室と、
前記処理室内に設けられた熱輻射体と、
前記熱輻射体を加熱する加熱部と、
前記熱輻射体にウエハを近づけるウエハ搬送機構と、
を有し、
前記ウエハ搬送機構が前記ウエハを前記熱輻射体に近づけることにより、前記熱輻射体からの輻射熱によって前記ウエハが所定温度でアニールされることを特徴とするアニール装置。
IPC (1):
FI (1):
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (9)
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熱処理方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-087472
Applicant:東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン東北株式会社
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半導体ウエハーの熱処理装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-259002
Applicant:ローム株式会社
-
熱処理装置、熱処理方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-263822
Applicant:株式会社デンソー
-
熱処理装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-067436
Applicant:大日本スクリーン製造株式会社
-
枚葉式半導体基板処理リアクタの温度制御
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2003-128286
Applicant:エーエスエムインターナショナルエヌ.ヴェー.
-
ウエハー熱処理装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-297243
Applicant:日本ピラー工業株式会社
-
基板加熱装置/方法、動作制御装置/方法、層膜形成装置/方法、コンピュータプログラム、情報記憶媒体
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-108700
Applicant:日本電気株式会社
-
炭化珪素半導体装置の製造装置及び当該製造装置を用いた炭化珪素半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2003-113174
Applicant:株式会社デンソー
-
熱処理装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-155356
Applicant:東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン東北株式会社
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