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J-GLOBAL ID：200903074580657019

電界効果トランジスタ

Inventor：
水谷 孝

About 水谷 孝

, 
前澤 宏一

About 前澤 宏一


Applicant, Patent owner：
国立大学法人名古屋大学

About 国立大学法人名古屋大学


Agent (1)： 藤谷 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005298241
Publication number (International publication number)：2007109830
Application date： Oct. 12, 2005
Publication date： Apr. 26, 2007
Summary：
【課題】電界効果トランジスタのしきい値電圧の制御とチャネル抵抗の低減【解決手段】ゲート電極、アンドープIn0.2Ga0.8N/アンドープAl0.2Ga0.8N/アンドープGaNのヘテロ接合から成る電界効果トランジスタである。In0.2Ga0.8Nは、ピエゾ電界効果が大きいので、ヘテロ成長したこの層には、大きな応力歪みがかかり大きなピエゾ電界を発生する。これにより、Al0.2Ga0.8NとGaNの伝導帯を上昇させ、チャネルのレベルを上昇させることができる。これにより、ノーマリオフ型とでき、ゲート電極の下にのみ電界発生層を形成することで、チャネルの抵抗を大きく低減できる。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
ゲート電極と、ソース電極と、ドレイン電極と、チャネルの形成される第1の半導体層とを有する電界効果トランジスタにおいて、 前記ゲート電極と、前記第1の半導体層との間に、前記チャネルのキャリアの最低エネルギーを上昇させる電界発生層を設けたことを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (3)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812
FI (1)：
H01L29/80 H
F-Term (15)：
5F102FA00 ,  5F102FA01 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD02 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102HC01
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (5)
  • 半導体装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-196749   Applicant：日本電気株式会社
  • 半導体装置およびその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-058021   Applicant：三菱電機株式会社
  • 電界効果型トランジスタ
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-133253   Applicant：株式会社KRI, デンセイ・ラムダ株式会社
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