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J-GLOBAL ID:200903034864600740
製膜方法及び基材
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
荒船 博司
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002170015
Publication number (International publication number):2003306769
Application date: Jun. 11, 2002
Publication date: Oct. 31, 2003
Summary:
【要約】【課題】 コストが低く、製膜速度が大きく、様々な種類の金属について良質の膜を得ることができる製膜方法を提供する。【解決手段】 大気圧または大気圧近傍の圧力の下で、対向する電極間に電圧を印加し放電させることにより、反応性ガスをプラズマ状態とし、前記プラズマ状態の反応性ガスにより基材の表面に製膜するための製膜方法であって、前記反応性ガスは金属原子を含む化合物からなると共に、プラズマ雰囲気中に還元性を有する還元ガスを供給することにより前記基材の表面に金属膜を形成する。具体的には、前記基材の表面に、前記反応性ガス由来の金属酸化膜を形成した後に、還元ガスを供給することで、金属酸化膜を還元して金属膜を形成することが好ましく、金属酸化膜の形成と還元ガスによる還元処理とを複数回繰り返してもよい。
Claim (excerpt):
大気圧または大気圧近傍の圧力の下で、対向する電極間に電圧を印加し放電させることにより、反応性ガスをプラズマ状態とし、前記プラズマ状態の反応性ガスにより基材の表面に製膜するための製膜方法であって、前記反応性ガスは金属原子を含む化合物からなると共に、プラズマ雰囲気中に還元性を有する還元ガスを供給することにより前記基材の表面に金属膜を形成することを特徴とする製膜方法。
IPC (2):
FI (2):
F-Term (16):
4K030AA11
, 4K030BA01
, 4K030BA11
, 4K030BA16
, 4K030BA18
, 4K030BA21
, 4K030BA42
, 4K030CA07
, 4K030CA17
, 4K030DA08
, 4K030FA03
, 4K030HA01
, 4K030JA09
, 4K030JA16
, 4K030JA18
, 4K030LA01
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (10)
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特開昭63-203772
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透明導電膜の製造方法および透明導電膜
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-110800
Applicant:コニカ株式会社
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プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-281710
Applicant:松下電工株式会社
-
金属薄膜の形成方法および金属薄膜の形成装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-237054
Applicant:株式会社東芝
-
積層膜の形成方法及びその形成装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-186314
Applicant:積水化学工業株式会社
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プラズマCVD方法、およびこれにより形成された金属膜を有する半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-336309
Applicant:ソニー株式会社
-
酸化亜鉛薄膜の形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-083197
Applicant:大倉工業株式会社
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特開平4-337076
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半導体装置およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-183880
Applicant:株式会社東芝
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傾斜機能材料の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-005368
Applicant:積水化学工業株式会社
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