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J-GLOBAL ID：200903035051054362

トレンチ構造を有するIII族窒化物半導体装置

Inventor：
ロバート・ビーチ

About ロバート・ビーチ

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ポール・ブライジャー

About ポール・ブライジャー

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ダニエル・エム・キンザー

About ダニエル・エム・キンザー


Applicant, Patent owner：
インターナショナル レクティフィアー コーポレイション

About インターナショナル レクティフィアー コーポレイション


Agent (4)： 志賀 正武 ,  渡邊 隆 ,  村山 靖彦 ,  実広 信哉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004353377
Publication number (International publication number)：2005203753
Application date： Dec. 06, 2004
Publication date： Jul. 28, 2005
Summary：
【課題】 III族窒化物材料系で実現された公称オフ又はエンハンスモードFET装置を提供することである。【解決手段】 III族窒化物トレンチ装置は、装置がオンでないときに割り込む伝導チャネルを有する垂直伝導領域を有して、エンハンスモード装置を提供する。トレンチ構造は、垂直伝導又は水平伝導装置で使用してもよい。ゲート誘電体は、高電界に耐え、又は、伝導チャネルにおける電荷を操作できることによって装置の性能を改善する。III族窒化物材料のパッシベーションは、装置から誘電体を切り離し、低誘電率材料を高パワー製品で使用できるようにする。 【選択図】 図2G
Claim (excerpt)：
ヘテロ接合電界効果装置であって: 第1のバンドギャップを有する第1のIII族窒化物材料と; 界面で前記第1のIII族窒化物材料に隣接する第2のバンドギャップを有する第2のIII族窒化物材料と;を備え、 前記界面は、伝導チャネル用の領域を提供し、当該装置に対して所定の方向に方向付けれており; 前記伝導チャネルは、電界が前記界面に生成されたときに形成されるものであって、これによって公称オフ装置となるヘテロ接合電界効果装置。
IPC (6)：
H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/80 ,  H01L29/812
FI (7)：
H01L29/78 652T ,  H01L29/78 652E ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/80 H ,  H01L29/80 V ,  H01L29/78 658F ,  H01L29/78 301B
F-Term (40)：
5F102FA02 ,  5F102FA03 ,  5F102GB04 ,  5F102GC09 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GK09 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM07 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR03 ,  5F102GR13 ,  5F102GS03 ,  5F102GS07 ,  5F102GS08 ,  5F102GV05 ,  5F102HC01 ,  5F140AA05 ,  5F140AA30 ,  5F140AB08 ,  5F140AC02 ,  5F140AC23 ,  5F140BA06 ,  5F140BB05 ,  5F140BB18 ,  5F140BC12 ,  5F140BD11 ,  5F140BE09 ,  5F140BF01 ,  5F140BG01 ,  5F140BG27 ,  5F140BJ01 ,  5F140BK05 ,  5F140BK13
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (9)
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