Pat
J-GLOBAL ID:200903035256094677
近接場光プローブ
Inventor:
,
,
,
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002303342
Publication number (International publication number):2004138503
Application date: Oct. 17, 2002
Publication date: May. 13, 2004
Summary:
【課題】プローブの突出部先端の温度をリアルタイムに検出することができる近接場光プローブを提供する。【解決手段】コア20の周囲にクラッド21が設けられた光ファイバの一端に先鋭化したコア20を突出させた突出部12を有する近接場光プローブ1において、突出部12表面に第1の金属層31が形成されるとともに、先端部を除く第1の金属層31を覆って絶縁層32が形成されてなり、さらに絶縁層32と先端部を覆って第1の金属層31と異なる材料からなる第2の金属層33が形成されてなる。【選択図】 図2
Claim (excerpt):
コアの周囲にクラッドが設けられた光ファイバの一端に先鋭化した上記コアを突出させた突出部を有する近接場光プローブにおいて、
上記突出部表面に第1の金属層が形成されるとともに、先端部を除く上記第1の金属層を覆って絶縁層が形成されてなり、さらに上記絶縁層と上記先端部を覆って上記第1の金属層の異なる材料からなる第2の金属層が形成されてなること
を特徴とする近接場光プローブ。
IPC (2):
FI (2):
G01N13/14 B
, G12B1/00 601C
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (10)
-
顕微鏡検査プローブ
Gazette classification:公表公報
Application number:特願平7-506478
Applicant:ルイスアーロン
-
微小突起を有するプローブ、及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-218505
Applicant:キヤノン株式会社
-
脱離ガス分析装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-034971
Applicant:株式会社日立製作所
-
半導体材料における開口及びその製造方法並びにその使用
Gazette classification:公表公報
Application number:特願2000-570089
Applicant:ユニバーズィテートゲゼームトクシューレカッセル
-
光ファイバプローブ、その製造方法及び薄膜形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-262923
Applicant:財団法人神奈川科学技術アカデミー
-
SPRセンサーおよびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-351606
Applicant:科学技術振興事業団, 財団法人神奈川科学技術アカデミー, 日本電信電話株式会社, エヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジ株式会社
-
走査型トンネル顕微鏡用探針およびその作製方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-361807
Applicant:独立行政法人物質・材料研究機構
-
光ファイバプローブ及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-262146
Applicant:財団法人神奈川科学技術アカデミー
-
近接場光プローブおよびそれを用いた近接場光学顕微鏡および光記録/再生装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-016501
Applicant:株式会社日立製作所
-
微細光記録装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-004950
Applicant:株式会社日立製作所
Show all
Return to Previous Page