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J-GLOBAL ID:200903036398397339

3次元光受動導波路回路付きアクティブデバイス

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 絹谷 信雄
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999064972
Publication number (International publication number):2000261087
Application date: Mar. 11, 1999
Publication date: Sep. 22, 2000
Summary:
【要約】【課題】 光結合の効率が高く、プロセスの簡易化及び低コスト化が図れる3次元光受動導波路回路付きアクティブデバイスを提供する。【解決手段】 光増幅部(光発振部)36のモードフィールド径を3次元受動導波路部のモードフィールド径と3次元光受動導波路部35-1のモードフィールド径とが略等しくなるように構成することができるので、両者の特性を損なうことなく、高効率に光結合させることができる。
Claim (excerpt):
下面に電極を有する化合物半導体からなる基板表面上に、スラブ状の下部クラッド層と、スラブ状あるいは略矩形断面形状の活性層とが順次形成され、該活性層を覆うように上部クラッド層、コンタクト層及び上部電極が順次形成された積層体の前方側及び後方側あるいはいずれか一方の各層と上記基板の上側の一部とが除去され、その除去された両端面に無反射コーティング層が形成され、上側の一部が除去された基板表面に、他のスラブ状の低屈折率ポリマ層あるいは絶縁体層、他の略矩形断面形状の高屈折率ポリマ層あるいは絶縁体コア層及び他の低屈折率ポリマ層あるいは絶縁体層が順次形成された光デバイスであって、上記上部電極と上記下面電極との間に順方向電流を注入し、上記ポリマコア層の一方の端面側から入射された光を上記活性層内に導いて増幅させ、他のポリマコア層内を伝搬させ、他方の端面側から出射させるようにしたことを特徴とする3次元光受動導波路回路付きアクティブデバイス。
IPC (2):
H01S 5/026 ,  G02B 6/122
FI (2):
H01S 3/18 616 ,  G02B 6/12 C
F-Term (25):
2H047KA04 ,  2H047KB03 ,  2H047LA03 ,  2H047MA05 ,  2H047MA07 ,  2H047NA04 ,  2H047PA02 ,  2H047PA24 ,  2H047PA28 ,  2H047QA02 ,  2H047TA25 ,  2H047TA26 ,  2H047TA33 ,  2H047TA34 ,  2H047TA43 ,  5F073AA13 ,  5F073AA63 ,  5F073AA83 ,  5F073AB25 ,  5F073AB28 ,  5F073CA12 ,  5F073DA23 ,  5F073DA25 ,  5F073DA35 ,  5F073FA22
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (12)
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