半導体レーザ素子およびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：佐々木晴康 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000255027
Publication number (International publication number)：2001135894
Application date： Aug. 25, 2000
Publication date： May. 18, 2001
Summary：

【要約】【課題】 GaAsまたはGaP基板上のGaInPやGaNまたはSi基板上のGaInN、GaAsまたはGaP基板上のGaInAs、GaSb基板上のGaInSbにおけるIn量といった組成比によって歪量が変化する化合物半導体材料を用いて、発振波長を変えても、容易に最適な量子井戸活性層の構成を導くことができ、狙った波長で、狙った特性を持つ半導体レーザ素子およびその製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】結晶を構成する原子の組成を変更し、バンドギャップエネルギーを変化させたとき歪量が変化する材料系からなる量子井戸活性層を備えた半導体レーザ素子において、前記量子井戸活性層の、量子井戸層が複数個あって、量子井戸層の各井戸幅が40Å以上120Å未満であると共に、前記量子井戸層が、該量子井戸層のΓ点におけるヘビーホールのエネルギー準位とライトホールにおけるエネルギー準位の差の絶対値が結晶破壊の生じない範囲で最大となる歪量に設定されてなる。

Claim (excerpt)：

結晶を構成する原子の組成を変更し、バンドギャップエネルギーを変化させたとき歪量が変化する材料系からなる量子井戸活性層を備えた半導体レーザ素子において、前記量子井戸活性層の、量子井戸層が複数個あって、量子井戸層の各井戸幅が40Å以上120Å未満であると共に、前記量子井戸層が、該量子井戸層のΓ点におけるヘビィホールのエネルギー準位とライトホールにおけるエネルギー準位の差の絶対値が結晶破壊の生じない範囲で最大となる歪量に設定されてなることを特徴とする半導体レーザ素子。

F-Term (12)：

5F073AA26 , 5F073AA45 , 5F073AA51 , 5F073AA53 , 5F073AA74 , 5F073BA04 , 5F073CA14 , 5F073CB02 , 5F073DA06 , 5F073DA23 , 5F073EA29 , 5F073HA10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

半導体レーザ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-216361 Applicant：三洋電機株式会社
半導体レーザ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-096918 Applicant：株式会社日立製作所
半導体レーザダイオード
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-239988 Applicant：エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド

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