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J-GLOBAL ID：200903036667537452

ホトレジスト組成物およびレジストパターン形成方法

Inventor：
辻 裕光

About 辻 裕光

, 
遠藤 浩太朗

About 遠藤 浩太朗


Applicant, Patent owner：
東京応化工業株式会社

About 東京応化工業株式会社


Agent (1)： 酒井 宏明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003416560
Publication number (International publication number)：2005173464
Application date： Dec. 15, 2003
Publication date： Jun. 30, 2005
Summary：
【課題】高解像性を維持しつつ、ラインエッジラフネスや現像残渣を抑制したホトレジスト組成物を提供する。【解決手段】(A)(i)フッ素原子又はフッ素化アルキル基と(ii)アルコール性水酸基とを共に有する脂肪族環式基を持つアルカリ可溶性の構成単位を含み、酸の作用によりアルカリ可溶性が変化する重合体成分と、 (B)露光光を受けて酸を発生する酸発生剤成分であって、 (B-1)下記一般式(1)C-(SO2CnF2n+1)3・・・・・・・・・(1)(nは1〜5の整数である)をアニオン部として有するオニウム塩を少なくとも含む酸発生剤成分とを含有させてホトレジスト組成物を構成する。【選択図】 なし
Claim (excerpt)：
(A)(i)フッ素原子又はフッ素化アルキル基と(ii)アルコール性水酸基とを共 に有する脂肪族環式基を持つアルカリ可溶性の構成単位を含み、酸の作用によりアルカリ可溶性が変化する重合体成分と、 (B)露光光を受けて酸を発生する酸発生剤成分であって、 (B-1)下記一般式(1) C-(SO2CnF2n+1)3・・・・・・・・・(1) (nは1〜5の整数である) をアニオン部として有するオニウム塩を少なくとも含む酸発生剤成分と、 を含有することを特徴とするホトレジスト組成物。
IPC (4)：
G03F7/004 ,  G03F7/033 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027
FI (5)：
G03F7/004 503A ,  G03F7/004 501 ,  G03F7/033 ,  G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R
F-Term (14)：
2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AB16 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE07 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CA48 ,  2H025CB41 ,  2H025CB45 ,  2H025CC20 ,  2H025DA19 ,  2H025FA12
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • ポジ型レジスト組成物
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-149620   Applicant：富士写真フイルム株式会社
Cited by examiner (10)
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