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J-GLOBAL ID：200903037634160600

薄膜の製造方法および半導体装置の製造方法

Inventor：
佐藤 尚之

About 佐藤 尚之


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 船橋 國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004336961
Publication number (International publication number)：2006147896
Application date： Nov. 22, 2004
Publication date： Jun. 08, 2006
Summary：
【課題】原子層蒸着法を用い、シリコン原子の層、酸素原子の層、金属原子の層等を吸着させて金属シリケートの層を形成し、それを窒化および酸化することで、比誘電率、耐熱性、電流リーク特性に優れた高性能なキャパシタ絶縁膜を得ることを可能とする。【解決手段】原子層蒸着法を用いた薄膜の製造方法であって、シリコン原子の層を形成するとともにシリコン原子の層上に酸素原子の層を形成する工程(「Si-Oサイクル」S20)および金属原子の層を形成するととも金属原子の層上に酸素原子の層を形成する工程(「金属-Oサイクル」S30)のいずれも少なくとも一回以上行う成膜工程S2を備え、前記成膜工程S2で成膜された金属シリケートの層に窒素を含むガスを供給する窒素供給工程S3と、前記成膜工程で成膜された金属シリケートの層に酸素を含むガスを供給する酸素供給工程S4とを備えた製造方法である。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
原子層蒸着法を用いた薄膜の製造方法であって、 シリコン原子の層を形成するとともにシリコン原子の層上に酸素原子の層を形成する工程および金属原子の層を形成するととも金属原子の層上に酸素原子の層を形成する工程のいずれも少なくとも一回以上行う成膜工程を備え、 前記成膜工程で成膜された金属シリケートの層に窒素を含むガスを供給する窒素供給工程と、 前記成膜工程で成膜された金属シリケートの層に酸素を含むガスを供給する酸素供給工程とを備えた ことを特徴とする薄膜の製造方法。
IPC (4)：
H01L 21/318 ,  C23C 16/30 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/824
FI (5)：
H01L21/318 C ,  H01L21/318 M ,  C23C16/30 ,  H01L27/10 625A ,  H01L27/10 651
F-Term (37)：
4K030AA06 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA14 ,  4K030BA01 ,  4K030BA38 ,  4K030BA44 ,  4K030CA04 ,  4K030DA02 ,  4K030DA08 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030HA14 ,  4K030LA15 ,  5F058BA01 ,  5F058BA11 ,  5F058BC03 ,  5F058BC04 ,  5F058BC12 ,  5F058BC20 ,  5F058BD05 ,  5F058BD06 ,  5F058BD16 ,  5F058BF06 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BF37 ,  5F058BH05 ,  5F058BJ04 ,  5F083AD17 ,  5F083JA19 ,  5F083PR03 ,  5F083PR12 ,  5F083PR15 ,  5F083PR21 ,  5F083PR33
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (9)
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