半導体装置の製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner： , ,
Agent (8)：前田弘 , 小山廣毅 , 竹内宏 , 嶋田高久 , 竹内祐二 , 今江克実 , 手島勝 , 藤田篤史
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002319883
Publication number (International publication number)：2004158481
Application date： Nov. 01, 2002
Publication date： Jun. 03, 2004
Summary：

【課題】高誘電体膜を半導体基板上に堆積する際に、反応副生成物の取り込みによる電気的特性の劣化、及び半導体基板の酸化による容量の低下を防止すると共に、多元素高誘電体膜の組成制御を容易にする。【解決手段】金属を含有し且つ酸素を含有しない原料ガスを供給することにより半導体基板上に金属膜を形成した後、酸化性ガスを供給することにより金属膜を酸化して高誘電体膜を形成する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

金属を含有し且つ酸素を含有しない原料ガスを供給することにより半導体基板上に金属膜を形成する工程と、酸化性ガスを供給することにより前記金属膜を酸化して高誘電体膜を形成する工程とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L21/316 , H01L29/78

FI (2)：

H01L21/316 C , H01L29/78 301G

F-Term (37)：

5F058BA11 , 5F058BA20 , 5F058BC03 , 5F058BC20 , 5F058BF02 , 5F058BF27 , 5F058BF62 , 5F058BJ01 , 5F140AA01 , 5F140AA02 , 5F140AA24 , 5F140AB01 , 5F140BA01 , 5F140BD01 , 5F140BD02 , 5F140BD06 , 5F140BD07 , 5F140BD09 , 5F140BD11 , 5F140BD12 , 5F140BD13 , 5F140BE02 , 5F140BE03 , 5F140BE05 , 5F140BE07 , 5F140BE08 , 5F140BE09 , 5F140BE10 , 5F140BE16 , 5F140BE19 , 5F140BF01 , 5F140BF10 , 5F140BG08 , 5F140BG28 , 5F140BG30 , 5F140BH15 , 5F140CB04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (17)

半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-267207 Applicant：株式会社東芝
多成分系薄膜及びその形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-131493 Applicant：三星電子株式会社
ゲート誘電体膜が適用される半導体素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-389904 Applicant：株式会社ハイニックスセミコンダクター

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