Pat
J-GLOBAL ID:200903097958511956
半導体装置の製造方法
Inventor:
,
,
,
,
Applicant, Patent owner:
,
,
Agent (8):
前田 弘
, 小山 廣毅
, 竹内 宏
, 嶋田 高久
, 竹内 祐二
, 今江 克実
, 手島 勝
, 藤田 篤史
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002319883
Publication number (International publication number):2004158481
Application date: Nov. 01, 2002
Publication date: Jun. 03, 2004
Summary:
【課題】高誘電体膜を半導体基板上に堆積する際に、反応副生成物の取り込みによる電気的特性の劣化、及び半導体基板の酸化による容量の低下を防止すると共に、多元素高誘電体膜の組成制御を容易にする。【解決手段】金属を含有し且つ酸素を含有しない原料ガスを供給することにより半導体基板上に金属膜を形成した後、酸化性ガスを供給することにより金属膜を酸化して高誘電体膜を形成する。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
金属を含有し且つ酸素を含有しない原料ガスを供給することにより半導体基板上に金属膜を形成する工程と、
酸化性ガスを供給することにより前記金属膜を酸化して高誘電体膜を形成する工程とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2):
FI (2):
H01L21/316 C
, H01L29/78 301G
F-Term (37):
5F058BA11
, 5F058BA20
, 5F058BC03
, 5F058BC20
, 5F058BF02
, 5F058BF27
, 5F058BF62
, 5F058BJ01
, 5F140AA01
, 5F140AA02
, 5F140AA24
, 5F140AB01
, 5F140BA01
, 5F140BD01
, 5F140BD02
, 5F140BD06
, 5F140BD07
, 5F140BD09
, 5F140BD11
, 5F140BD12
, 5F140BD13
, 5F140BE02
, 5F140BE03
, 5F140BE05
, 5F140BE07
, 5F140BE08
, 5F140BE09
, 5F140BE10
, 5F140BE16
, 5F140BE19
, 5F140BF01
, 5F140BF10
, 5F140BG08
, 5F140BG28
, 5F140BG30
, 5F140BH15
, 5F140CB04
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (17)
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半導体装置及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-267207
Applicant:株式会社東芝
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多成分系薄膜及びその形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-131493
Applicant:三星電子株式会社
-
ゲート誘電体膜が適用される半導体素子の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-389904
Applicant:株式会社ハイニックスセミコンダクター
-
ハフニウム系酸化膜形成材料
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-282198
Applicant:株式会社トリケミカル研究所
-
基板処理装置および処理方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-244730
Applicant:東京エレクトロン株式会社, 株式会社ケミトロニクス
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半導体素子の誘電体膜及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-002631
Applicant:三星電子株式会社
-
組成勾配を有する金属メタロイド酸化物および窒化物の堆積方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-111503
Applicant:エアプロダクツアンドケミカルズインコーポレイテッド
-
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-164831
Applicant:株式会社東芝
-
半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-019704
Applicant:株式会社東芝
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半導体装置及び半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-001546
Applicant:株式会社東芝
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特開昭59-188957
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特開昭59-188957
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特開昭59-188957
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特開昭59-215764
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特開昭59-215764
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特開昭59-215764
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高誘電体薄膜を備えた半導体装置及びその製造方法並びに誘電体膜の成膜装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-120485
Applicant:日本電気株式会社
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