パターン形成方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：鐘尾宏紀 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998095681
Publication number (International publication number)：1999295888
Application date： Apr. 08, 1998
Publication date： Oct. 29, 1999
Summary：

【要約】【課題】有機反射防止膜と感光性材料膜の界面における反応生成物の生成を抑制し、エッチング後の被エッチング膜残渣の数を低減すると共に高解像度、高精度のエッチングパターンを形成する。【解決手段】半導体基板10の上に、ポリシリコン膜からなる被エッチング膜11、有機反射防止膜12及び酸発生剤として(a)オニウム塩化合物と(b)スルホン化合物及びスルホネート化合物の少なくとも1種とを含有する化学増幅型レジスト材料からなる感光性材料膜13を設け、マスク14を介して感光性材料膜13を露光した後現像して、パターン化された感光性材料膜13bを形成する。その後好ましくは反射防止膜をSO2 とO2 混合ガスでドライエッチングし、更に被エッチング膜をドライエッチングして、被エッチング膜のパターンを形成する。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に形成された被エッチング膜の上に有機材料からなりエネルギービームを吸収する反射防止膜を形成する第1の工程と、前記反射防止膜の上に感光性材料膜を形成する第2の工程と、前記感光性材料膜にエネルギービームを選択的に照射した後、前記感光性材料膜の照射部又は未照射部を除去して、パターン化された感光性材料膜を形成する第3の工程と、パターン化された前記感光性材料膜をマスクとして前記被エッチング膜に対してドライエッチングを行なって、前記被エッチング膜からなるパターンを形成する第4の工程とを備えたパターン形成方法において、前記感光性材料膜が、(a)酸により遊離しうる置換基を含有する有機物および(b)オニウム塩化合物の少なくとも1種とスルホン化合物およびスルホネート化合物から選ばれた少なくとも1種とからなる放射線の照射により酸を発生する化合物を含有する化学増幅型レジスト材料からなることを特徴とするパターン形成方法。

IPC (6)：

G03F 7/004 506 , G03F 7/038 601 , G03F 7/039 601 , G03F 7/40 521 , H01L 21/027 , H01L 21/3065

FI (6)：

G03F 7/004 506 , G03F 7/038 601 , G03F 7/039 601 , G03F 7/40 521 , H01L 21/30 574 , H01L 21/302 H

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

感放射線性組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-045109 Applicant：日本合成ゴム株式会社
感放射線性樹脂組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-086093 Applicant：日本合成ゴム株式会社
放射感応性混合物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-080519 Applicant：ヘキストジャパン株式会社

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