センサ装置、センサシステム、センサ装置の製造方法及びセンサシステムの製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：小谷悦司 , 植木久一 , 伊藤孝夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004127134
Publication number (International publication number)：2005129888
Application date： Apr. 22, 2004
Publication date： May. 19, 2005
Summary：

【課題】センサ特性における温度ドリフトを低減する。【解決手段】センサ装置10は、シリコンを基材とするセンサ本体部1と、同じくシリコンを基材とする上部封止体2と、同じくシリコンを基材とする下部封止体3とを備えている。上部封止体2と下部封止体3とは、協同してセンサ本体部1を内部に気密状態で収納するように互いに接合されている。センサ装置10を駆動する集積回路20は、センサ装置10とともに積層体を形成している。センサ本体部1は、上部封止体2を貫通する貫通電路4及び上部封止体2の外表面に設けられた実装用電極5を通じて集積回路20の配線パターン12に電気的に接続されている。センサ装置10は、集積回路20を通じてMID基板30へ接続されている。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

センサ本体部と、前記センサ本体部と同一材料で形成された上部封止体と、前記上部封止体と協同して前記センサ本体部を内部に収納するように前記上部封止体と接合され、前記センサ本体部と同一材料で形成された下部封止体と、を備えることを特徴とするセンサ装置。

IPC (3)：

H01L23/02 , G01P9/04 , H01L29/84

FI (3)：

H01L23/02 J , G01P9/04 , H01L29/84 Z

F-Term (19)：

2F105BB09 , 2F105BB13 , 2F105CC04 , 2F105CD13 , 4M112AA02 , 4M112BA07 , 4M112CA21 , 4M112CA24 , 4M112CA31 , 4M112DA03 , 4M112DA06 , 4M112DA18 , 4M112EA02 , 4M112EA06 , 4M112EA11 , 4M112EA14 , 4M112FA05 , 4M112GA01 , 4M112GA03

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

半導体加速度センサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-340747 Applicant：松下電工株式会社

Cited by examiner (8)

加速度センサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-029143 Applicant：株式会社日立製作所, 日立オートモテイブエンジニアリング株式会社
慣性力センサおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-160171 Applicant：三菱電機株式会社
ハイブリッドIC
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-208572 Applicant：三洋電機株式会社

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