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J-GLOBAL ID：200903084719226927

窒化物半導体発光素子

Inventor：
中村 修二

About 中村 修二

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長濱 慎一

About 長濱 慎一

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岩佐 成人

About 岩佐 成人

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清久 裕之

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Applicant, Patent owner：
日亜化学工業株式会社

About 日亜化学工業株式会社


Agent (1)： 鈴江 武彦 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001282288
Publication number (International publication number)：2002141553
Application date： Feb. 23, 1996
Publication date： May. 17, 2002
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】発光出力が高く、発光スペクトルの半値幅が狭い窒化物半導体発光素子が提供する。【解決手段】活性層95を量子井戸構造とする。活性層95上に設けられるp型クラッド層96のうち、第1のp型クラッド層96aをアルミニウムとガリウムを含むp型窒化物半導体で形成し、第2のp型クラッド層96bを同様のp型窒化物半導体であるが、第1のp型クラッド層96bよりもバンドギャップの大きいもので形成する。
Claim (excerpt)：
第1および第2の主面を有し、かつインジウムとガリウムを含む窒化物半導体を包含する量子井戸構造の活性層、該活性層の第1の主面に接して設けられ、かつn型In<SB>j </SB>Ga<SB>1-j </SB>N(ここで、0<j<1)からなる第1のn型クラッド層、該第1のn型層よりも活性層から離れた位置に設けられ、かつn型Alb Ga1-b N(ここで、0<b<1)からなる第2のn型クラッド層、該第2のn型層よりも活性層から離れた位置に設けられ、かつn型GaNからなるn型コンタクト層、および該活性層の第2の主面に接して設けられたp型窒化物半導体層を備えることを特徴とする窒化物半導体発光素子。
IPC (2)：
H01L 33/00 ,  H01S 5/343 610
FI (2)：
H01L 33/00 C ,  H01S 5/343 610
F-Term (13)：
5F041AA03 ,  5F041AA04 ,  5F041AA11 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F073AA55 ,  5F073AA73 ,  5F073AA74 ,  5F073CA02 ,  5F073CA07 ,  5F073CB06 ,  5F073EA03 ,  5F073EA24
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (14)
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Cited by examiner (14)
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