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J-GLOBAL ID：200903039669944577
SOI基板およびその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
八田 幹雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998231828
Publication number (International publication number)：2000068489
Application date： Aug. 18, 1998
Publication date： Mar. 03, 2000
Summary：
【要約】【課題】 埋め込み酸化層の不具合の存在を低減し、高性能LSI用の高品質SOI基板を供することを目的とする。【解決手段】 本発明は、シリコン単結晶基板上に埋め込み酸化層が形成され、前記埋め込み酸化層上にデバイス形成用のSOI層が形成されたSOI基板において、埋め込み酸化層のピンホール欠陥の密度が1個/cm2 未満であることを特徴とするSOI基板であり、少なくとも表面から埋め込み酸化層が形成される深さまでの領域において、直径換算で0.1μm以上のボイド及び/またはCOPが存在しないシリコン単結晶基板を用いて、SOI構造を形成することを特徴とするSOI基板の製造方法である。
Claim (excerpt)：
シリコン単結晶基板上に埋め込み酸化層が形成され、前記埋め込み酸化層上にデバイス形成用のSOI層が形成されたSOI基板において、埋め込み酸化層のピンホール欠陥の密度が1個/cm2 未満であることを特徴とするSOI基板。
IPC (2)：
FI (3)：
H01L 27/12 E
, H01L 27/12 B
, H01L 21/265 J
Cited by examiner (10)
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SOI基板及びその製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平6-177939
Applicant：三菱マテリアル株式会社, 三菱マテリアルシリコン株式会社
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シリコン単結晶ウェーハおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平7-158458
Applicant：住友シチックス株式会社
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SOI基板の作製方法およびSOI基板
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平8-257758
Applicant：信越半導体株式会社
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SOI基板の製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平7-017480
Applicant：日本電気株式会社
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SOI基板の製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平8-062534
Applicant：三菱マテリアル株式会社, 三菱マテリアルシリコン株式会社
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シリコンウェーハの製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平4-181715
Applicant：三菱マテリアル株式会社, 三菱マテリアルシリコン株式会社
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シリコン単結晶棒およびその引上げ方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平5-092064
Applicant：三菱マテリアル株式会社, 三菱マテリアルシリコン株式会社
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単結晶シリコンの成長欠陥の検出方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平7-132909
Applicant：三菱マテリアルシリコン株式会社, 三菱マテリアル株式会社
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半導体基板及びその製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平8-217391
Applicant：新日本製鐵株式会社
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半導体基板中に埋め込まれた酸化物層を備えた低転位密度構造の製造プロセス
Gazette classification：公表公報
Application number：特願平7-529423
Applicant：コミツサリアタレネルジーアトミーク
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