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J-GLOBAL ID：200903040739900104
トンネル磁気抵抗効果素子
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
皿田 秀夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999208442
Publication number (International publication number)：2001036165
Application date： Jul. 23, 1999
Publication date： Feb. 09, 2001
Summary：
【要約】【課題】 トンネル磁気抵抗効果素子の良好な特性、特に、大きなヘッド出力が得られるようなトンネル磁気抵抗効果素子の仕様を提案する。【解決手段】 下地層の上にトンネル多層膜を有するトンネル磁気抵抗効果素子であって、前記トンネル多層膜は、トンネルバリア層と、トンネルバリア層を挟むようにして形成された強磁性フリー層と強磁性ピンド層を有し、前記下地層は、トンネル多層膜側の下地層の表面における表面粗さの状態を示す3つの指標である、中心線平均粗さRaが0.5nm以下、最大高さRmaxが5nm以下、標準偏差粗さRrmsが0.55nm以下であるように構成する。
Claim (excerpt)：
下地層の上にトンネル多層膜を有するトンネル磁気抵抗効果素子であって、前記トンネル多層膜は、トンネルバリア層と、トンネルバリア層を挟むようにして形成された強磁性フリー層と強磁性ピンド層を有し、前記下地層は、トンネル多層膜側の下地層の表面における表面粗さの状態を示す3つの指標である、中心線平均粗さRaが0.5nm以下、最大高さRmaxが5nm以下、標準偏差粗さRrmsが0.55nm以下であることを特徴とするトンネル磁気抵抗効果素子。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (10)
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