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J-GLOBAL ID：200903043180320551

金属含有排水の処理方法および金属含有排水の処理装置

Inventor：
山嵜 和幸

About 山嵜 和幸

, 
中條 数美

About 中條 数美

, 
石橋 宏之

About 石橋 宏之


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (1)： 青山 葆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001131920
Publication number (International publication number)：2002320979
Application date： Apr. 27, 2001
Publication date： Nov. 05, 2002
Summary：
【要約】【課題】 化合物半導体工場から発生する金属含有排水を効率的に、かつ、安定して処理できるとともに、省エネルギーで、しかも排水から有価金属を有価物として回収して再利用でき、排水の完全クローズドシステムを確立することができる金属含有排水の処理方法を提供する。【解決手段】 この金属含有排水の処理方法によれば、反応部2と、液中膜5を有する液中膜部3と、沈澱部4とが上から下に順に並んでいる液中膜分離槽1に、金属含有排水を上から導入し、かつ、反応部2に、pH調整剤を添加して反応させ、続いて、液中膜部3の液中膜5で水と金属とを分離し、続いて、沈澱部4で金属を沈殿濃縮する。このように、この処理方法では、反応部2にpH調整剤を添加しているので、水酸化物を形成させて、液中膜5で固液分離することができる。また、沈澱部4で、エネルギーを使用することなく重力の作用で、金属を沈殿濃縮できる。
Claim (excerpt)：
反応部と、液中膜を有する液中膜部と、沈澱部とが上から下に順に並んでいる液中膜分離槽に、金属含有排水を上から導入する工程と、上記反応部に、pH調整剤を添加して金属含有排水と反応させる工程と、上記液中膜部の液中膜で金属含有排水を水と金属とに分離する工程と、上記沈澱部で上記分離された金属を沈殿濃縮する工程とを備えることを特徴とする金属含有排水の処理方法。
IPC (19)：
C02F 1/62 ZAB ,  B01D 21/01 102 ,  B01D 61/14 500 ,  C02F 1/04 ,  C02F 1/24 ,  C02F 1/28 ,  C02F 1/32 ,  C02F 1/42 ,  C02F 1/44 ,  C02F 1/469 ,  C02F 1/52 ,  C02F 1/58 ,  C02F 3/00 ,  C02F 3/34 ,  C02F 9/00 501 ,  C02F 9/00 ,  C02F 9/00 502 ,  C02F 9/00 503 ,  C02F 9/00 504
FI (28)：
C02F 1/62 ZAB Z ,  B01D 21/01 102 ,  B01D 61/14 500 ,  C02F 1/04 C ,  C02F 1/24 C ,  C02F 1/28 B ,  C02F 1/28 D ,  C02F 1/32 ,  C02F 1/42 E ,  C02F 1/42 G ,  C02F 1/44 E ,  C02F 1/52 Z ,  C02F 1/58 H ,  C02F 3/00 G ,  C02F 3/34 Z ,  C02F 9/00 501 A ,  C02F 9/00 501 J ,  C02F 9/00 502 B ,  C02F 9/00 502 F ,  C02F 9/00 502 G ,  C02F 9/00 502 H ,  C02F 9/00 502 L ,  C02F 9/00 502 N ,  C02F 9/00 502 P ,  C02F 9/00 503 G ,  C02F 9/00 504 A ,  C02F 9/00 504 E ,  C02F 1/46 103
F-Term (74)：
4D006GA03 ,  4D006GA06 ,  4D006JA31 ,  4D006KA43 ,  4D006KA52 ,  4D006KA55 ,  4D006KA57 ,  4D006KB01 ,  4D006KB11 ,  4D006KB12 ,  4D006KB13 ,  4D006KB17 ,  4D006KB22 ,  4D006MA22 ,  4D006PC01 ,  4D006PC02 ,  4D015BA19 ,  4D015BA23 ,  4D015BB05 ,  4D015CA18 ,  4D015CA20 ,  4D015DA17 ,  4D015FA12 ,  4D015FA17 ,  4D015FA22 ,  4D015FA26 ,  4D015FA30 ,  4D024AA03 ,  4D024AA09 ,  4D024BA02 ,  4D024DB04 ,  4D024DB05 ,  4D024DB08 ,  4D024DB19 ,  4D024DB21 ,  4D025AA04 ,  4D025AA09 ,  4D025DA03 ,  4D025DA06 ,  4D034AA27 ,  4D034BA01 ,  4D034CA12 ,  4D037AA03 ,  4D037AA13 ,  4D037AA14 ,  4D037BA03 ,  4D037BA26 ,  4D037CA01 ,  4D037CA03 ,  4D037CA04 ,  4D037CA07 ,  4D037CA08 ,  4D037CA15 ,  4D038AA08 ,  4D038AB70 ,  4D038BA04 ,  4D038BA06 ,  4D038BB06 ,  4D038BB08 ,  4D038BB13 ,  4D038BB18 ,  4D038BB19 ,  4D040DD03 ,  4D061DA08 ,  4D061DB13 ,  4D061EA02 ,  4D061EB13 ,  4D061EB22 ,  4D061FA02 ,  4D061FA06 ,  4D061FA08 ,  4D061FA09 ,  4D061FA14 ,  4D061FA15
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (33)
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