強誘電体膜を有する不揮発性半導体記憶装置及び強誘電体膜を有するキャパシタ及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：外川英明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996133030
Publication number (International publication number)：1997321237
Application date： May. 28, 1996
Publication date： Dec. 12, 1997
Summary：

【要約】【課題】エッチング等のプロセス工程を経た後でも、強誘電体膜の特性劣化を抑制し、かつ、信頼性の高い強誘電体を利用した不揮発性半導体装置を提供する事である。【解決手段】本発明は、MFMIS、MFIS構造の電界効果型強誘電体素子、もしくはMFM構造のキャパシタを有した強誘電体素子の強誘電体膜に、Ho、Co、Cr、Dy、W、Y、V、Sm、Gd元素の少なくとも一つを含有した鉛を含むペロブスカイト構造化合物である事を特徴とする。また、上記強誘電体膜は、Ho、Co、Cr、Dy、W、Y、V、Sm、Gd元素の少なくとも一つを含有したBiを含むビスマス層状化合物でも良い。

Claim (excerpt)：

電極間の誘電体に強誘電体膜を用いた情報記憶用キャパシタと電荷転送用MOSトランジスタとが直列に接続されてなる複数のメモリセルが行列状に配置されているメモリセルアレイと、それぞれ同一行の前記メモリセルのMOSトランジスタのゲート電極に共通に接続された複数本のワード線と、それぞれ同一行の前記メモリセルのキャパシタのプレート電極に共通に接続された複数本のプレート線と、それぞれ同一列の前記メモリセルのMOSトランジスタのソース/ドレイン領域のいずれかに共通に接続された複数本のビット線とを備え、前記強誘電体膜が鉛を含むペロブスカイト構造化合物であり、かつ、Ho、Co、Cr、Dy、W、Y、V、Sm、Gd元素の少なくとも一つを含有する事を特徴とする不揮発性強誘電体記憶装置。

IPC (12)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , C01G 29/00 , C01G 35/00 , C01G 37/00 , C30B 29/22 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 27/10 451 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (8)：

H01L 27/10 651 , C01G 29/00 , C01G 35/00 C , C01G 37/00 , C30B 29/22 D , H01L 27/10 451 , H01L 27/04 C , H01L 29/78 371

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

強誘電体メモリ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-066357 Applicant：オリンパス光学工業株式会社, シメトリックス・コーポレーション
特開平3-108759
不揮発性強誘電体メモリ装置、不揮発性強誘電体メモリアレイ装置及びそのメモリアレイ装置の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-283594 Applicant：ラムトロン・インターナショナル・コーポレーション

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