トランジスタ及びその製造方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：志賀正武 , 渡邊隆 , 村山靖彦 , 実広信哉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008313263
Publication number (International publication number)：2009218562
Application date： Dec. 09, 2008
Publication date： Sep. 24, 2009
Summary：

【課題】トランジスタを提供する。【解決手段】チャンネル層、チャンネル層の両端にそれぞれ接触されたソース及びドレイン、チャンネル層と離隔されたゲート電極、チャンネル層とゲート電極との間に備わったゲート絶縁層、及びチャンネル層とゲート絶縁層との間に備わり、チャンネル層と仕事関数が異なる挿入層を備えるトランジスタである。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

チャンネル層と、前記チャンネル層の両端にそれぞれ接触されたソース及びドレインと、前記チャンネル層と離隔されたゲート電極と、前記チャンネル層と前記ゲート電極との間に備わったゲート絶縁層と、前記チャンネル層と前記ゲート絶縁層との間に備わり、前記チャンネル層と仕事関数が異なる挿入層とを備えるトランジスタ。

IPC (1)：

H01L 29/786

FI (3)：

H01L29/78 618E , H01L29/78 618B , H01L29/78 618G

F-Term (25)：

5F110AA01 , 5F110AA05 , 5F110AA08 , 5F110AA14 , 5F110BB01 , 5F110BB03 , 5F110BB05 , 5F110CC01 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110GG01 , 5F110GG06 , 5F110GG19 , 5F110GG33 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110HK02 , 5F110HK21 , 5F110NN02 , 5F110NN23 , 5F110NN24

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

ドープされた部分を有する堆積チャネル領域を含むトランジスタ
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2006-551083 Applicant：ヒューレット-パッカードデベロップメントカンパニーエル.ピー.
アモルファス酸化物層を用いた薄膜トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-258270 Applicant：キヤノン株式会社
半導体装置、半導体基板およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-254958 Applicant：株式会社東芝

Show all

Return to Previous Page