Pat
J-GLOBAL ID:200903088761810219
窒化物半導体電界効果トランジスタ
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2006247209
Publication number (International publication number):2008010803
Application date: Sep. 12, 2006
Publication date: Jan. 17, 2008
Summary:
【課題】 本発明が解決しようとする課題は、窒化物半導体電界効果トランジスタにおいて、しきい電圧の制御が可能なエンハンスメント形の動作を得ることである。【解決手段】 結晶方位の+c方向にAlxGa1-xN層、GaN層、AlyGa1-yN層の順に積層されており、x≧yにすることにより空乏化しているダブルヘテロ構造からなるチャンネルをゲート部に有することを特徴とする窒化物半導体電界効果トランジスタによって解決される。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
結晶方位の+c方向にAlxGa1-xN層、GaN層、AlyGa1-yN層の順に積層されており、x≧yにすることにより空乏化しているダブルヘテロ構造からなるチャンネルをゲート部に有することを特徴とする窒化物半導体電界効果トランジスタ。
IPC (7):
H01L 21/338
, H01L 29/778
, H01L 29/812
, H01L 21/28
, H01L 29/417
, H01L 29/78
, H01L 29/786
FI (6):
H01L29/80 H
, H01L21/28 301B
, H01L21/28 301R
, H01L29/50 M
, H01L29/78 301B
, H01L29/78 618B
F-Term (85):
4M104AA04
, 4M104AA07
, 4M104BB05
, 4M104BB14
, 4M104CC01
, 4M104CC05
, 4M104DD35
, 4M104DD68
, 4M104DD83
, 4M104FF13
, 4M104GG08
, 5F102FA01
, 5F102FA03
, 5F102GD10
, 5F102GJ02
, 5F102GJ03
, 5F102GJ04
, 5F102GJ10
, 5F102GK04
, 5F102GK08
, 5F102GL04
, 5F102GM04
, 5F102GQ03
, 5F102GR04
, 5F102GV08
, 5F102HC10
, 5F102HC16
, 5F102HC24
, 5F110AA08
, 5F110CC01
, 5F110DD04
, 5F110EE02
, 5F110EE14
, 5F110EE43
, 5F110FF01
, 5F110FF03
, 5F110FF27
, 5F110FF30
, 5F110GG04
, 5F110GG12
, 5F110GG19
, 5F110GG25
, 5F110GG28
, 5F110GG29
, 5F110GG32
, 5F110GG34
, 5F110HK02
, 5F110HK03
, 5F110HK04
, 5F110HK05
, 5F110HK22
, 5F110HK32
, 5F110HK40
, 5F110NN02
, 5F110NN24
, 5F110NN35
, 5F110QQ14
, 5F140AA06
, 5F140BA01
, 5F140BA02
, 5F140BA06
, 5F140BA09
, 5F140BA20
, 5F140BB15
, 5F140BB16
, 5F140BB18
, 5F140BB19
, 5F140BC12
, 5F140BD07
, 5F140BD11
, 5F140BD12
, 5F140BE09
, 5F140BE10
, 5F140BF05
, 5F140BF11
, 5F140BF15
, 5F140BG30
, 5F140BJ07
, 5F140BJ11
, 5F140BJ15
, 5F140BK29
, 5F140BK33
, 5F140CC08
, 5F140CC13
, 5F140CE02
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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ヘテロ接合電界効果トランジスタ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-142221
Applicant:ソニー株式会社
-
電界効果トランジスタ、及び電界効果トランジスタの作製方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2003-318658
Applicant:国立大学法人名古屋大学
-
半導体積層構造、トランジスタ素子、およびトランジスタ素子の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2004-092615
Applicant:日本碍子株式会社
-
半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-196751
Applicant:日本電気株式会社
-
半導体装置および電界効果トランジスタ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-175246
Applicant:日本電気株式会社
-
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2003-363121
Applicant:松下電器産業株式会社
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