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J-GLOBAL ID：200903044601433810

半導体素子及び太陽電池

Inventor：
八木 茂

About 八木 茂

, 
鈴木 星児

About 鈴木 星児


Applicant, Patent owner：
富士ゼロックス株式会社

About 富士ゼロックス株式会社


Agent (1)： 中島 淳 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000046345
Publication number (International publication number)：2001111074
Application date： Feb. 23, 2000
Publication date： Apr. 20, 2001
Summary：
【要約】【課題】 低コストで、高効率であり、しかも安全で長寿命な半導体素子及び太陽電池を提供すること。【解決手段】 半導体基板上に、少なくともAl,Ga及びInから選択される1以上の元素と窒素元素とからなる窒化物系化合物半導体を含有する化合物半導体層を窓層として形成したことを特徴とする半導体素子である。また、半導体基板上に、組成式がAlXGaYInZNWで表される窒化物系化合物半導体を含有する化合物半導体層を有し、該X,Y,Z及びWは組成比を表し、0.8≦(X+Y+Z)/W≦1.2、かつ、0.1≦Z/(X+Y+Z)≦1.0を満たすことを特徴とする太陽電池である。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に、少なくともAl,Ga及びInから選択される1以上の元素と窒素元素とからなる窒化物系化合物半導体を含有する化合物半導体層を窓層として形成したことを特徴とする半導体素子。
IPC (2)：
H01L 31/04 ,  H01L 21/205
FI (2)：
H01L 21/205 ,  H01L 31/04 E
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (15)
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