プラズマ処理装置及び金属配線のエッチング方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴木章夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997101309
Publication number (International publication number)：1998189549
Application date： Apr. 18, 1997
Publication date： Jul. 21, 1998
Summary：

【要約】【課題】プラズマエッチング装置において、レジストに対するエッチングの高選択比を得るために、圧力を15〜20mTorrに設定すると、この領域ではエッチング残渣が発生し易く、適用が困難となる。【解決手段】プラズマを発生させるためのソース部の円筒形真空容器(ベルジャ)1の高さを60mm以下、或いはRFアンテナ上端より35mm以下、または平板で構成する。ペルジャ1の高さを低減させることで、プラズマ発生中心が下方位置となり、下側に連設されるプロセスチャンバ5へのプラズマの拡散を容易にし、プロセスチャンバにおけるプラズマ密度を高め、15〜20mTorrの圧力でもエッチング残渣が低減され、ウェハ載置電極7上に載置されたウェハ8のレジストに対するエッチングの高選択比を得て高性能のエッチング装置が構成できる。

Claim (excerpt)：

誘電体からなる円筒形真空容器と、この真空容器の周囲に配設されて高周波電力が印加されるアンテナと、更にその周囲に配置された電磁コイルとを備えてプラズマを発生させるプラズマソース部を有するプラズマ処理装置において、前記円筒形真空容器の高さが60mm以下であることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (3)：

H01L 21/3065 , C23F 4/00 , H05H 1/46

FI (3)：

H01L 21/302 G , C23F 4/00 G , H05H 1/46 L

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

プラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-037640 Applicant：日電アネルバ株式会社, 庄司多津男
プラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-079514 Applicant：堀池靖浩, 日電アネルバ株式会社
プラズマ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-013981 Applicant：東京エレクトロン株式会社

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