トレンチ・アイソレーション構造の形成方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：吉武賢次 , 中村行孝 , 紺野昭男 , 横田修孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004167435
Publication number (International publication number)：2005347636
Application date： Jun. 04, 2004
Publication date： Dec. 15, 2005
Summary：

【課題】トレンチ・アイソレーション構造における溝の内部にボイドやクラックがなく、基板とシリカ質膜との密着性が優れた、シリカ質膜付き基材とその製造方法との提供。【解決手段】表面が窒化シリコンライナー膜で連続的に被覆されたトレンチ・アイソレーション溝を有する基板にケイ素含有ポリマー溶液を塗布し、塗布済み基板を、900°C以上1200°C以下の温度で加熱処理することを含む、トレンチ・アイソレーション構造の形成方法、およびそれを用いたシリカ質膜付き基材。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

シリコン基板上に、表面が窒化シリコンライナー膜で連続的に被覆されたトレンチ・アイソレーション溝を形成させる溝形成工程、ポリシラザン、水素化シルセスキオキサン、およびそれらの混合物からなる群から選択されるケイ素含有ポリマーを有機溶媒に溶解させた溶液を前記基板上に塗布してケイ素含有ポリマー被膜を形成させる、塗布工程、塗布済み基板を、900°C以上1200°C以下の温度で加熱処理してケイ素含有ポリマー被膜を二酸化シリコン膜に転換させる硬化工程、を含んでなることを特徴とする、トレンチ・アイソレーション構造の形成方法。

IPC (2)：

H01L21/76 , H01L21/316

FI (2)：

H01L21/76 L , H01L21/316 G

F-Term (23)：

5F032AA35 , 5F032AA45 , 5F032AA46 , 5F032AA49 , 5F032AA50 , 5F032AA70 , 5F032AA77 , 5F032AA78 , 5F032DA02 , 5F032DA03 , 5F032DA09 , 5F032DA23 , 5F032DA28 , 5F032DA33 , 5F032DA53 , 5F032DA74 , 5F032DA78 , 5F058BA02 , 5F058BA10 , 5F058BC02 , 5F058BF46 , 5F058BH02 , 5F058BH07

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

特許第3178412号公報(段落0005〜0016)
微細溝をシリカ質材料で埋封する方法及びシリカ質膜付き基材
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-128988 Applicant：東燃ゼネラル石油株式会社
結晶性水素化シルセスキオキサンの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-272021 Applicant：ダウ・コ-ニング・コ-ポレ-ション

Cited by examiner (9)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-235572 Applicant：株式会社東芝
半導体装置のシリコン酸化膜形成方法およびこれを用いた素子分離方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-005050 Applicant：三星電子株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-098994 Applicant：株式会社日立製作所

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