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J-GLOBAL ID：200903047012589311

半導体装置

Inventor：
上野 弘明

About 上野 弘明

, 
柳原 学

About 柳原 学

, 
上本 康裕

About 上本 康裕

, 
田中 毅

About 田中 毅


Applicant, Patent owner：
松下電器産業株式会社

About 松下電器産業株式会社


Agent (11)： 前田 弘 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守 ,  関 啓 ,  杉浦 靖也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006160206
Publication number (International publication number)：2007329350
Application date： Jun. 08, 2006
Publication date： Dec. 20, 2007
Summary：
【課題】コンタクト抵抗が小さいオーミック電極を備えたIII-V族窒化物半導体を用いた半導体装置を実現できるようにする。【解決手段】半導体装置は、基板11の上に順次形成された、第1のIII-V族窒化物半導体層12及び第1のIII-V族窒化物半導体12と比べてバンドギャップが大きい第2のIII-V族窒化物半導体層13と、オーミック電極14とを備えている。オーミック電極14は、下部が第2のIII-V族窒化物半導体層13を貫通し且つ第1のIII-V族窒化物半導体層12における2次元電子ガス層よりも下側の領域に達するように形成されている。第1のIII-V族窒化物半導体層12及び第2のIII-V族窒化物半導体層13におけるオーミック電極14と接する部分には、不純物ドープ層18が形成されている。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
基板の上に形成され、2次元電子ガス層を有する第1のIII-V族窒化物半導体層と、 前記第1のIII-V族窒化物半導体層の上に形成され、前記第1のIII-V族窒化物半導体と比べてバンドギャップが大きい第2のIII-V族窒化物半導体層と、 下部が前記第2のIII-V族窒化物半導体層を貫通して形成され、前記第1のIII-V族窒化物半導体層における前記2次元電子ガス層よりも下側の領域に達するオーミック電極と、 前記第1のIII-V族窒化物半導体層及び第2のIII-V族窒化物半導体層における前記オーミック電極と接する部分に、導電性を有する不純物が導入されて形成された不純物ドープ層とを備えていることを特徴とする半導体装置。
IPC (6)：
H01L 21/28 ,  H01L 29/47 ,  H01L 29/872 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812
FI (3)：
H01L21/28 301B ,  H01L29/48 D ,  H01L29/80 H
F-Term (25)：
4M104AA04 ,  4M104AA07 ,  4M104BB02 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB14 ,  4M104BB23 ,  4M104CC01 ,  4M104DD26 ,  4M104FF13 ,  4M104FF31 ,  4M104GG03 ,  4M104GG12 ,  4M104HH08 ,  4M104HH15 ,  5F102FA03 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GN04 ,  5F102GV08 ,  5F102HC15
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (5)
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Cited by examiner (5)
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