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J-GLOBAL ID：200903047308507183

紫外発光ダイオード

Inventor：
西田 敏夫

About 西田 敏夫

, 
小林 直樹

About 小林 直樹

, 
斎藤 久夫

About 斎藤 久夫


Applicant, Patent owner：
日本電信電話株式会社

About 日本電信電話株式会社


Agent (1)： 和泉 良彦 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001080891
Publication number (International publication number)：2002280610
Application date： Mar. 21, 2001
Publication date： Sep. 27, 2002
Summary：
【要約】【課題】発光スペクトルの単色性と低抵抗性を大きく損なうことなく、紫外発光ダイオードの発光効率を向上する。【解決手段】AlxGa1-xN(x>0.1)層をn型クラッド層4、p型クラッド層5、AlyGa1-yN(x>y>0)層を量子井戸構造の障壁層2、AlzGa1-zN(y>z>0)層を量子井戸構造1の量子井戸層とする紫外発光ダイオードにおいて、n型クラッド層4と量子井戸構造1との間にn型ブロッキング層6としてn型Alx’Ga1-x’N(x'>x+0.1)層を、p型クラッド層5と量子井戸構造1との間にp型ブロッキング層7としてp型Alx’’Ga1-x’’N(x''>x+0.1)層を有する。
Claim (excerpt)：
AlxGa1-xN(x>0.1)層をクラッド層、AlyGa1-yN(x>y>0)層を量子井戸構造の障壁層、AlzGa1-zN(y>z>0)層を上記量子井戸構造の量子井戸層とする紫外発光ダイオードにおいて、n型の上記クラッド層と上記量子井戸構造との間にブロッキング層としてn型Alx’Ga1-x’N(x'>x+0.1)層を、p型の上記クラッド層と上記量子井戸構造との間にブロッキング層としてp型Alx’’Ga1-x’’N(x''>x+0.1)層を有することを特徴とする紫外発光ダイオード。
IPC (2)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/205
FI (2)：
H01L 33/00 C ,  H01L 21/205
F-Term (20)：
5F041AA03 ,  5F041AA11 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA64 ,  5F041CA92 ,  5F041FF16 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AF02 ,  5F045BB12 ,  5F045BB16 ,  5F045CA10 ,  5F045DA53 ,  5F045DA54 ,  5F045DA55
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (7)
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Cited by examiner (7)
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