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J-GLOBAL ID：200903048388773578

半導体レーザ素子およびその製造方法

Inventor：
阪田 昌彦

About 阪田 昌彦

, 
角田 篤勇

About 角田 篤勇


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (1)： 青山 葆 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002169102
Publication number (International publication number)：2003069154
Application date： Jun. 10, 2002
Publication date： Mar. 07, 2003
Summary：
【要約】【課題】 工程を追加することなくリッジ側部の空洞形成を制御し、リッジ幅を厳密に調整することによって、良好な素子特性を有するリッジストライプ型半導体レーザ素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】 電流狭窄部である半導体層をエッチングしてリッジを形成する工程において、ドライエッチングとウェットエッチングとを併用して等方性エッチングであるウェットエッチングの時間を短縮し、リッジ部のサイドエッチング量を調整する。これにより、リッジ側面が略垂直な形状のリッジを形成する。
Claim (excerpt)：
第1導電型クラッド層、活性層および第2導電型クラッド層を順次積層して形成された発光用積層部と、該第2導電型クラッド層上に形成されたエッチングストップ層と、該エッチングストップ層上に形成された半導体層とを有し、該半導体層がストライプ状のリッジに形成されている半導体レーザ素子において、該リッジ側面が該活性層表面となす角度が90±20 ゚であることを特徴とするリッジストライプ型半導体レーザ素子。
IPC (4)：
H01S 5/223 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/3065 ,  H01S 5/343
FI (4)：
H01S 5/223 ,  H01S 5/343 ,  H01L 21/302 105 A ,  H01L 21/306 S
F-Term (21)：
5F004AA06 ,  5F004BA14 ,  5F004DA13 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DB19 ,  5F004EA10 ,  5F043AA16 ,  5F043BB06 ,  5F073AA11 ,  5F073AA22 ,  5F073AA53 ,  5F073AA74 ,  5F073BA04 ,  5F073CA14 ,  5F073CB02 ,  5F073DA22 ,  5F073DA26 ,  5F073EA15 ,  5F073EA16 ,  5F073EA23
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (9)
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