半導体装置およびその製造方法

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：岩橋文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001387051
Publication number (International publication number)：2003188313
Application date： Dec. 20, 2001
Publication date： Jul. 04, 2003
Summary：

【要約】【課題】ボール電極の半田を構成する半田に含まれるSnが金属配線のCuに拡散して形成された合金は脆く、接合強度が小さいために、ボール電極と金属配線との境界部に形成された合金層で破断が起こりやすいという問題点があった。【解決手段】半導体素子8の表面の一部で外部端子10をなす金属配線11と、半導体素子8の表面側で、金属配線11の外部端子10を開口して樹脂膜12(ソルダーレジスト)が形成され、外部端子10に樹脂膜12の厚みと略同一または樹脂膜12の厚みよりも大きい厚みで金属材料充填部13が形成されている。

Claim (excerpt)：

半導体素子と、前記半導体素子の表面に形成された電極と電気的に接続された金属配線と、前記金属配線の一部を開口するように前記半導体素子の表面側に形成された樹脂膜と、前記樹脂膜の開口部に充填され、その厚みが前記樹脂膜の厚みと略同一または前記樹脂膜の厚みよりも大きい金属材料充填部とからなることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 23/12 501 , H01L 21/3205

FI (2)：

H01L 23/12 501 P , H01L 21/88 T

F-Term (25)：

5F033HH07 , 5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH12 , 5F033HH14 , 5F033HH17 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH23 , 5F033MM05 , 5F033MM28 , 5F033PP00 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033PP28 , 5F033PP33 , 5F033QQ08 , 5F033QQ69 , 5F033RR21 , 5F033RR22 , 5F033VV07 , 5F033WW02 , 5F033XX00 , 5F033XX03 , 5F033XX19

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

半導体チップと一体化した半導体パッケ-ジ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-254216 Applicant：株式会社東芝
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-109178 Applicant：カシオ計算機株式会社
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-299058 Applicant：松下電子工業株式会社

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