高周波放電装置およびプラズマ処理方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高田幸彦 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999258235
Publication number (International publication number)：2001085195
Application date： Sep. 13, 1999
Publication date： Mar. 30, 2001
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】プラズマ発生室のメインテナンス性を損なうこと無く、また、機差を生じることもなく、プラズマ発生室の温度やシース電圧を高精度・高速応答で確実に制御できる誘導放電プラズマ処理装置の遮蔽電極を構成し、半導体製造における良好なプロセス性能を得る。【解決手段】少なくとも部分的に絶縁性の部分を有する真空容器1と;前記絶縁性の部分の周辺に巻き付けられた誘導アンテナ4と;前記誘導アンテナに接続されたインピーダンス調整機能を持つ高周波回路14を含む高周波電源13と;前記誘導アンテナと前記絶縁性の部分の間に設置された前記誘導アンテナとプラズマ間の静電容量結合を制御する機能を持った遮蔽電極2で構成されているプラズマ反応容器であって;前記遮蔽電極が薄膜状のもので形成されており前記絶縁性の部分に物理的に密着(固着)しており、前記遮蔽電極および前記絶縁性の部分の一部もしくは全体が絶縁性の物質で覆われている高周波放電装置10及びプラズマ処理法。

Claim (excerpt)：

少なくとも部分的に絶縁性の部分を有する真空容器と;前記絶縁性の部分の周辺に巻き付けられた誘導アンテナと;前記誘導アンテナに接続されたインピーダンス調整機能を持つ高周波回路を含む高周波電源と;前記誘導アンテナと前記絶縁性の部分の間に設置された前記誘導アンテナとプラズマ間の静電容量結合を制御する機能を持った遮蔽電極で構成されているプラズマ反応容器であって;前記遮蔽電極が薄膜状のもので形成されており前記絶縁性の部分に物理的に密着(固着)していることを特徴とする高周波放電装置。

IPC (4)：

H05H 1/46 , C23F 4/00 , H01L 21/205 , H01L 21/3065

FI (4)：

H05H 1/46 L , C23F 4/00 A , H01L 21/205 , H01L 21/302 B

F-Term (33)：

4K057DA02 , 4K057DA16 , 4K057DD01 , 4K057DE01 , 4K057DE04 , 4K057DM05 , 4K057DM06 , 4K057DM32 , 4K057DM33 , 4K057DM39 , 4K057DN01 , 5F004AA15 , 5F004BA20 , 5F004BB13 , 5F004BB14 , 5F004BB17 , 5F004DA04 , 5F004DA11 , 5F004DB09 , 5F045AA08 , 5F045AA09 , 5F045AC03 , 5F045BB14 , 5F045BB15 , 5F045DP02 , 5F045EB05 , 5F045EH02 , 5F045EH04 , 5F045EH11 , 5F045EJ04 , 5F045EJ09 , 5F045EJ10 , 5F045EK06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

プラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-325791 Applicant：株式会社日立製作所
プラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-184321 Applicant：アネルバ株式会社
プラズマ発生装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-145941 Applicant：ジヨンエス.オウグル

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