Pat

J-GLOBAL ID：200903048868084691

GaN系半導体素子

Inventor： 太田 裕朗 ,  江上 慎 ,  大嶽 浩隆
Applicant, Patent owner： ローム株式会社
Agent (4)： 三好 秀和 ,  寺山 啓進 ,  三好 広之 ,  伊藤 市太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007023403
Publication number (International publication number)：2008192701
Application date： Feb. 01, 2007
Publication date： Aug. 21, 2008
Summary：

【課題】高耐圧、低リークのGaN系半導体積層構造を有するGaN系半導体素子を提供する。【解決手段】基板1の上に第3n型GaN系半導体層3、第1n型GaN系半導体層4、i型GaN系半導体層5、p型GaN系半導体層6、第2n型GaN系半導体層7が積層された積層構造で表される。p型GaN系半導体層6の不純物濃度は、1×1020 cm-3以下であり、第1n型GaN系半導体層4の不純物濃度は1×1018cm-3以下に構成される。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

基板上に少なくとも第1のn型又はi型のGaN系半導体層、p型不純物を含むGaN系半導体層、第2のn型又はi型のGaN系半導体層を順に備えたGaN系半導体素子であって、 前記p型不純物を含むp型GaN系半導体層の不純物濃度は1×1020cm-3以下であり、前記第1のn型又はi型のGaN系半導体層の不純物濃度は1×1018cm-3以下であることを特徴とするGaN系半導体素子。

IPC (6)：

H01L 29/786 ,  H01L 29/12 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/088 ,  H01L 27/08

FI (8)：

H01L29/78 626A ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 653B ,  H01L27/08 102A ,  H01L27/08 102E ,  H01L27/08 331E ,  H01L29/78 652H ,  H01L29/78 618B

F-Term (50)：

5F048AA05 ,  5F048AC06 ,  5F048BA03 ,  5F048BA06 ,  5F048BA10 ,  5F048BA15 ,  5F048BA17 ,  5F048BB20 ,  5F048BC03 ,  5F048BC12 ,  5F048BD06 ,  5F048BD07 ,  5F048CB07 ,  5F110AA04 ,  5F110AA07 ,  5F110AA11 ,  5F110BB12 ,  5F110CC09 ,  5F110DD01 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE06 ,  5F110EE09 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG04 ,  5F110GG17 ,  5F110GG24 ,  5F110GG28 ,  5F110GG30 ,  5F110GG32 ,  5F110GG34 ,  5F110GG35 ,  5F110GG44 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK05 ,  5F110HK06 ,  5F110HK11 ,  5F110HK21 ,  5F110HK25 ,  5F110HK27 ,  5F110HK34 ,  5F110HM02 ,  5F110HM07 ,  5F110HM12

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• III族窒化物半導体を有する半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-003368   Applicant：株式会社豊田中央研究所

Cited by examiner (8)

• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-105163   Applicant：ユーディナデバイス株式会社
• 半導体装置
  Gazette classification：再公表公報   Application number：JP2005011623   Applicant：日本電気株式会社, 古河電気工業株式会社
• エピタキシャル成長用基板の製造方法及びこのエピタキシャル成長用基板を用いた半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-301301   Applicant：株式会社東芝
• GaN系電界効果トランジスタとその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-041555   Applicant：古河電気工業株式会社
• 縦型トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-136509   Applicant：住友電気工業株式会社
• 縦型電界効果トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-119885   Applicant：古河電気工業株式会社
• 特開昭55-052272
  
• ウェハボンディングへテロ構造を含む発光半導体デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-320214   Applicant：ルミレッズライティングユーエスリミテッドライアビリティカンパニー